[发明专利]导电柱的形成方法、封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种封装方法，其特征在于，包括：

在一第二衬底上键合至少一个导电柱用于构成一第一基板，所述导电柱中远离所述第二衬底的端部和侧壁均从所述第二衬底的表面暴露出，其中所述导电柱的形成方法包括：提供一第一衬底，所述第一衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且所述第一衬底中形成有至少一个凹槽，所述凹槽从所述第一表面延伸至所述第一衬底中；在所述第一衬底的所述第一表面上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述凹槽的底部和侧壁并覆盖所述第一表面；在所述第一衬底的所述凹槽中填充一导电层；将所述第一衬底键合在所述第二衬底上，所述第二衬底靠近所述第一衬底的表面上形成有第二介质层，以及所述第二衬底中还形成有至少一个引出端，所述引出端从所述第二介质层中暴露出，在将所述第一衬底和所述第二衬底键合时，所述第一衬底的所述第一表面朝向所述第二衬底，以使所述导电层和所述引出端键合连接，所述第一介质层和所述第二介质层键合连接；以及，去除所述第一衬底，以暴露出所述导电层并用于构成所述导电柱；以及，

将所述第一基板封装到一第二基板上，所述第二基板上形成有凸起结构和至少一个焊垫，所述凸起结构和所述焊垫的位置相互错开，并且所述焊垫的焊接面低于所述凸起结构远离所述第二基板的端面，所述第一基板上的所述导电柱越过所述凸起结构，以使所述导电柱的所述端部焊接在所述焊垫上。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述凹槽的开口尺寸介于5μm～500μm之间，所述导电柱的宽度尺寸介于5μm～500μm之间。

3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述凹槽的深度介于10μm～500μm之间，所述导电柱的高度介于10μm～500μm之间。

4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述凹槽的形成方法包括：

在所述第一衬底的所述第一表面上形成图形化的掩膜层，所述掩膜层中开设至少一个开口，所述开口贯穿所述掩膜层以暴露出部分所述第一衬底；以及，

以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述第一衬底，以在所述第一衬底中形成所述凹槽。

5.如权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述图形化的掩膜层的材质包括光刻胶。

6.如权利要求5所述的封装方法，其特征在于，所述图形化的掩膜层的厚度小于80μm，所述开口的深度小于80μm。

7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第二衬底中还形成有晶体管器件，所述晶体管器件的源极和漏极分别通过不同的引出端引出，对应所述源极的引出端和对应所述漏极的引出端分别与不同的导电柱键合连接。

8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在将所述第一衬底和所述第二衬底键合时，所述第一介质层和所述第二介质层的表面带有悬挂键，以使所述第一介质层和所述第二介质层键合连接。

9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述焊垫的焊接面与所述凸起结构远离所述第二基板的端面之间的高度差介于10μm～500μm之间，所述导电柱的高度介于10μm～500μm之间，并且所述导电柱的高度值大于等于所述焊垫的焊接面和所述凸起结构的端面之间的高度差值。