[发明专利]导电柱的形成方法、封装结构及封装方法

说明书

本发明提供了一种导电柱的形成方法、封装结构及封装方法。通过在第一衬底中形成具有较大深度的凹槽，接着在凹槽中形成导电层，以及结合键合工艺使第一衬底中的导电层键合到第二衬底上，并去除第一衬底使导电层暴露出以构成导电柱，如此即可形成具备较大高度的导电柱。在封装过程中，由于导电柱具备较大的高度，从而可确保导电柱能够越过凸起结构而焊接至目标焊垫上。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种导电柱的形成方法以及一种封装结构及封装方法。

背景技术

随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。为了顺应半导体集成电路的不断发展和环境保护法令对封装的需求，封装互连技术也在不断演变，例如：晶圆表面的引线逐渐从传统的焊垫(PAD)上的金属打线发展为现在的贴装工艺，即直接在晶圆的芯片表面做封装焊球，使用的时候直接将芯片倒扣在基板(例如PCB板)的焊垫上，回流后实现焊球与焊垫的结合。

但是对于集成密度较大的芯片，尺寸较大的封装焊球也逐渐变得难以排布，取而代之的是直径更小的铜柱凸块(copper pillar bump,CPB)，通过铜柱凸块与基板上的焊垫进行接触，形成金属共晶结合，从而达到焊接的目的。目前，在制备例如铜柱的导电柱时，对所形成的导电柱的高度要求较为严格，例如，利用传统的导电柱的制备方法所得到的导电柱的高度通常不会超过80μm，而这直接导致了导电柱的应用受到限制。

尤其是，当需要将导电柱焊接到一具有凸起结构的基板上时，则往往需要使所述导电柱具有较大的高度，如此方可使导电柱能够越过凸起结构而焊接在基板上，从而在实现成功焊接的过程中避免对凸起结构造成影响。然而，如上所述，在目前的形成方法中往往无法制备出高度较大的导电柱。

发明内容

本发明的目的在于提供一种导电柱的形成方法，以解决现有的形成方法中无法制备出较大高度的导电柱的缺陷。

为解决上述技术问题，本发明提供一种导电柱的形成方法，包括：

提供一第一衬底，所述第一衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且在所述第一衬底中形成有至少一个凹槽，所述凹槽从所述第一表面延伸至所述第一衬底中；

在所述第一衬底的所述凹槽中填充一导电层；

将所述第一衬底键合在一第二衬底上，并且所述第一衬底的所述第一表面朝向所述第二衬底，以使所述导电层键合在所述第二衬底上；以及，

去除所述第一衬底，以暴露出所述导电层并用于构成所述导电柱。

可选的，所述导电柱的宽度尺寸介于5μm～500μm之间。

可选的，所述导电柱的高度介于10μm～500μm之间。

可选的，所述凹槽的形成方法包括：

在所述第一衬底的所述第一表面上形成图形化的掩膜层，所述掩膜层中开设至少一个开口，所述开口贯穿所述掩膜层以暴露出部分所述第一衬底；以及，

以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述第一衬底，以在所述第一衬底中形成所述凹槽。

可选的，所述图形化的掩膜层的材质包括光刻胶。

可选的，所述图形化的掩膜层的厚度小于80μm，所述开口的深度小于80μm。

可选的，在形成所述导电层之前，还包括：

在所述第一衬底的所述第一表面上形成一第一介质层，所述第一介质层覆盖所述凹槽的底部和侧壁并覆盖所述第一表面。

可选的，所述第二衬底中形成有至少一个引出端，在将所述第一衬底和所述第二衬底键合时，所述引出端和所述导电层键合连接。