[发明专利]用于具有共模电流源的一次可编程存储器（OTPM）阵列的裕度测试

权利要求书

1.一种用于裕度测试的结构，包括：

电流镜控制节点，其被配置为调节电流裕度并且将调节后的电流裕度提供给至少一个一次可编程存储器OTPM单元；

位于所述OTPM单元中的双单元存储器，所述双单元存储器被配置为使用基于所述调节后的电流裕度的多个写入操作来编程；

电流感测放大器，其连接到所述双单元存储器并且被配置为感测所述双单元存储器的电流差分以及锁存基于所述电流差分的差分电压；以及

裕度调节电路，其包括多个晶体管并且通过真位线BLT、补位线BLC和所述电流镜控制节点连接到所述电流感测放大器。

2.根据权利要求1所述的结构，其中所述电流感测放大器包括多个PFET器件，并且所述PFET器件中的每一个具有共同连接到所述电流镜控制节点的栅极。

3.根据权利要求2所述的结构，其中所述多个PFET器件被配置为调节到所述电流感测放大器的所述真位线BLT和所述补位线BLC的所述电流裕度以产生所述差分电压。

4.根据权利要求1所述的结构，其中所述电流感测放大器包括被配置为存储所述差分电压的锁存器。

5.根据权利要求1所述的结构，其中所述双单元存储器阵列包括具有不同阈值电压的一对NFET器件。

6.根据权利要求1所述的结构，其中所述电流感测放大器通过所述真位线BLT和所述补位线BLC连接到所述双单元存储器阵列。

7.根据权利要求1所述的结构，其中所述裕度调节电路中的所述多个晶体管是PFET器件，所述PFET器件基于多个感测放大器输入裕度信号来确定所述电流裕度的大小。

8.一种用于裕度测试的结构，包括：

位于一次可编程存储器OTPM单元中的双单元NFET存储器，所述一次可编程存储器OTPM单元被配置为基于电流裕度对至少一个写入操作进行编程；以及

电流感测放大器，其被配置为调节所述电流裕度并基于电流镜控制节点将调节后的电流裕度提供给所述双单元存储器；以及

裕度调节电路，其包括多个晶体管并且通过真位线BLT、补位线BLC和所述电流镜控制节点连接到所述电流感测放大器。

9.根据权利要求8所述的结构，其中所述电流镜控制节点被配置为调节所述电流裕度并将所述调节后的电流裕度提供给所述OTPM单元中的所述双单元存储器。

10.根据权利要求8所述的结构，其中所述电流感测放大器包括多个PFET器件，并且所述PFET器件中的每一个具有共同连接到所述电流镜控制节点的栅极。

11.根据权利要求10所述的结构，其中所述多个PFET器件被配置为调节到所述电流感测放大器的所述真位线BLT和所述补位线BLC的所述电流裕度以产生差分电压。

12.根据权利要求11所述的结构，其中所述电流感测放大器进一步被配置为感测所述双单元存储器的电流差分并且锁存基于所述电流差分的所述差分电压。

13.根据权利要求8所述的结构，其中所述电流感测放大器通过所述真位线BLT和所述补位线BLC连接到所述双单元存储器阵列。

14.根据权利要求8所述的结构，其中所述多个晶体管基于多个感测放大器输入裕度信号来确定所述电流裕度的大小。

15.根据权利要求14所述的结构，其中所述裕度调节电路中的所述多个晶体管是PFET器件。