[发明专利]用于具有共模电流源的一次可编程存储器（OTPM）阵列的裕度测试

说明书

本发明涉及用于具有共模电流源的一次可编程存储器(OTPM)阵列的裕度测试。本公开涉及一种包括电流镜控制节点的结构，该电流镜控制节点被配置为调节电流裕度并将调节后的电流裕度提供给至少一个一次可编程存储器(OTPM)单元。

技术领域

本公开涉及裕度(margin)测试，更特别地，涉及一种用于具有共模电流源的一次可编程存储器(OTPM)阵列的裕度测试的电路以及方法。

背景技术

一次可编程存储器(OTPM)被编程操作编程，随后是验证测试。编程后的数据状态的稳定性是通过编程后执行读取裕度测试来确定的。裕度测试用于预测存在的用于补偿感测噪声、泄漏和其他信号劣化(detractor)的过剩读取信号的量。在裕度测试中，必须克服预定的感测不平衡以读取正确的数据。如果数据没有通过裕度测试，则执行附加的编程操作。

OTPM数据单元阵列通过真和补位线对连接到差分电流感测放大器。存储的数据由将差分单元电流分解为逻辑“1”或逻辑“0”数据的感测放大器感测。此外，OTPM数据单元可以由一对场效应晶体管(FET)组成，其中通过将FET阈值电压中的一个编程为高于或低于另一个来存储“1”和“0”数据状态，这导致在FET对内的电流的正或负的差。由此，建立了可以由电流感测感测放大器感测的差分数据电流。然而，OTPM中的多重编程可能造成对FET的氧化物的损坏。

发明内容

在本公开的一个方面中，一种结构包括电流镜控制节点，其被配置为调节电流裕度并将所述调节后的电流裕度提供给至少一个一次可编程存储器(OTPM)单元。

在本公开的另一方面中，一种结构包括：位于一次可编程存储器(OTPM)单元中的双单元NFET存储器，所述一次可编程存储器(OTPM)单元被配置为基于电流裕度对至少一个写入操作进行编程；以及电流感测放大器，其被配置为调节所述电流裕度并基于电流镜控制节点将所述调节后的电流裕度提供给所述双单元存储器。

在本公开的另一方面中，一种方法包括：基于多个输入裕度信号调节电流镜控制节点中的电流裕度；通过真位线(BLT)和补位线(BLC)将所述调节后的电流裕度提供给双单元存储器；感测所述双单元存储器的电流差分；以及基于所述感测的所述双单元存储器的电流差分来锁存差分电压。

附图说明

通过本公开的示例性实施例的非限制性实例并参考所述多个附图，在以下详细描述中描述本公开。

图1示出了根据本公开的方面的具有裕度调节的电流感测放大器。

图2示出了根据本公开的方面的裕度调节电路。

图3示出了根据本公开的方面的具有裕度调节的电流感测放大器的图。

具体实施方式

本公开涉及裕度测试，更特别地，涉及一种用于具有共模电流源的一次可编程存储器(OTPM)阵列的裕度测试的电路以及方法。在更具体的实施例中，本公开是跟踪(track)OTPM单元的共模电流电平的改进的裕度测试。

在非易失性单元中，阈值电压(Vt)偏移取决于被俘获在一对场效应晶体管(FET)的氧化物中的电荷。对FET进行编程增加了阈值电压(Vt)，这会增加损坏氧化物的可能性(即，FET的栅极可能被短路到源极)。当发生故障时，取决于偏置条件，栅极被短接到FET的源极或漏极。此外，一次可编程存储器(OTPM)阵列使用双单元和一对FET来对OTPM阵列编程。OTPM的双单元是一对薄氧化物高阈值电压(HVT)NFET基础器件。

此外，OTPM的双单元包括真NFET晶体管和补NFET晶体管。真NFET晶体管和补NFET晶体管中的每个栅极连接到字线WL。真NFET晶体管的源极连接到补NFET晶体管的源极，真NFET晶体管和补NFET晶体管两者的源极连接到源极线SL。真NFET晶体管的漏极连接到真位线(BLT)，补NFET晶体管的漏极连接到补位线(BLC)。