[发明专利]光电流扫描系统有效

专利信息
申请号: 201810123474.3 申请日: 2018-02-07
公开(公告)号: CN110118725B 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 张科;魏洋;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: G01N21/01 分类号: G01N21/01
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084 北京市海淀区清*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电流扫描 系统
【说明书】:

发明涉及一种光电流扫描系统,包括一激光发生装置、一聚焦装置、一位移调整装置、一偏压供给装置及一测量装置;所述激光发生装置用于发射激光,所述聚焦装置用于将激光聚焦到所述位移调整装置中待测样品表面;所述位移调整装置用于驱动所述待测样品,使激光照射到待测样品表面的不同部位;所述偏压供给装置用于向所述待测样品提供电压;所述测量装置用于测量流过所述待测样品的电流信号。

技术领域

本发明涉及一种光电流扫描系统。

背景技术

现有技术中,常常利用振镜系统来实现扫描,将两片扫描镜相对设置成具有一定角度,激光依次通过两片扫描镜照射到待测工件上。在扫描过程中,通过分别控制两片扫描镜的方向,从而改变激光照射到待测工件上的位置,进而实现了对待测工件的扫描。

然而,上述振镜系统在工作过程中保持待测工件不动,仅通过改变激光光路来实现扫描,属于离轴系统,因此,照射到待测工件的光斑较大,从而影响系统的扫描精度。

发明内容

有鉴于此,确有必要提供一种扫描精度较高的光电流扫描系统。

一种光电流扫描系统,包括一激光发生装置、一聚焦装置、一位移调整装置、一偏压供给装置及一测量装置;所述激光发生装置用于发射激光,所述聚焦装置用于将激光聚焦到所述位移调整装置中待测样品表面;所述位移调整装置用于驱动所述待测样品,使激光照射到待测样品表面的不同部位;所述偏压供给装置用于向所述待测样品提供电压;所述测量装置用于测量流过所述待测样品的电流信号。

相对于现有技术,本发明提供的光电流扫描系统中保持激光光束不动,通过改变待测样品的位置来实现扫描,该光电流扫描系统为一共轴系统,提高了光电流扫描系统的扫描精度。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的光电流扫描系统的结构示意图。

图2为图1所提供的光电流扫描系统中屏蔽筒结构的剖面示意图。

图3为本发明第二实施例提供的光电流扫描系统的结构示意图。

主要元件符号说明

具体实施方式

以下将结合附图及具体实施例,对本发明提供的光电流扫描系统作进一步详细说明。

请参阅图1,本发明实施例提供一种光电流扫描系统10,包括一激光发生装置11、一聚焦装置12、一位移调整装置13、一偏压供给装置15、一测量装置16、一保护装置14及一可视装置(图中未示)。所述激光发生装置 11用于发射激光,激光通过所述聚焦装置12聚焦到所述位移调整装置13 中待测样品表面;所述位移调整装置13用于调整所述待测样品的位置,使激光聚焦到待测样品表面的不同部位;所述偏压供给装置15用于向所述待测样品提供电压;所述测量装置16用于测量流过所述待测样品的电流信号。

所述激光发生装置11的结构不限,只要能够发出激光即可。本实施例中,所述激光发生装置11包括一激光器110、一安装座111和一激光控制器 112。所述激光器110设置在所述安装座111上,所述激光控制器112与所述安装座111配套使用,所述激光控制器112控制所述激光器110中的温度和输出激光的功率。所述激光器110种类不限,所述激光器的规格可选波长为405nm、功率为10mW;波长为520nm、功率为15mW或波长为635nm、功率为8mW等。本实施例中,所述激光器110为二极管激光器,所述安装座111型号为LDM9LP,所述控制器112型号为ITC4001。

所述激光发生装置11通过一光纤将激光引入所述聚焦装置12中。所述光纤的一端与激光器110连接,另一端连接到所述聚焦装置12。优选的,所述光纤为单模光纤,通过该单模光纤输入到聚焦装置12的激光照射到待测样品表面形成较小光斑。该光斑的直径为1微米~2微米。所述单模光纤与对应波长的激光器配套使用。

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