[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201810127054.2 | 申请日: | 2018-02-08 |
公开(公告)号: | CN108417685B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 中林拓也;池田忠昭 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54;H01L33/62;H01L25/075 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 曲天佐 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,具备:
基板,其包含绝缘性的基体、在所述基体的上表面沿X方向排列配置的第一连接盘及第二连接盘、配置于所述第一连接盘与所述第二连接盘之间的中间部;
第一发光元件,其倒装安装于所述第一连接盘;
第二发光元件,其倒装安装于所述第二连接盘;
光反射性的覆盖部件,其设于所述中间部的上方,覆盖所述第一发光元件的侧面以及所述第二发光元件的侧面,其特征在于,
在所述中间部的上方,在所述覆盖部件形成有凹部,
所述凹部的底位于比所述第一发光元件的上表面以及所述第二发光元件的上表面靠下方、且比所述中间部的上表面靠上方的位置,
所述凹部的内表面为空的,且该内表面为该发光装置的外表面,
所述基体具有:所述上表面、位于所述上表面的相反侧的下表面、位于所述上表面和所述下表面之间且沿着所述X方向的两个基体侧面,
所述基体还具有凹陷,在所述基体的下表面,于所述X方向的中央,在将所述发光装置的主发光方向作为Z方向的情况下,所述凹陷偏向与所述X方向和所述Z方向正交的Y方向,并且只与所述两个基体侧面中的一个基体侧面相接而配置,在其内表面配置有将所述第一连接盘及所述第二连接盘连接的配线。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述中间部是所述基体露出的部分。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
所述凹部在俯视时,到达所述覆盖部件中的面向相对于所述第一连接盘与所述第二连接盘的排列方向垂直的方向的两个侧面的至少一方。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
所述覆盖部件的所述X方向的长度比所述Y方向的长度长。
5.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
所述基体的线膨胀系数为15ppm/℃以下。
6.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
在所述基体的下表面,所述凹陷位于与所述凹部对置的位置。
7.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
在俯视时,沿着相对于所述第一连接盘与所述第二连接盘的排列方向垂直的方向的所述覆盖部件的侧面,相对于面向相同方向的所述基板的侧面向该发光装置的内侧倾斜。
8.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,具备:
第一透光性部件,其接合于所述第一发光元件的上表面,包含将所述第一发光元件的光吸收而发光的波长转换物质;
第二透光性部件,其接合于所述第二发光元件的上表面,包含将所述第二发光元件的光吸收而发光的波长转换物质,
所述覆盖部件覆盖所述第一透光性部件的侧面以及所述第二透光性部件的侧面。
9.根据权利要求8所述的发光装置,其特征在于,
所述波长转换物质包含锰活化氟化物荧光体。
10.根据权利要求3所述的发光装置,其特征在于:
所述凹部在俯视时,到达所述两个侧面的两方。
11.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于:
所述凹部的底位于比所述第一发光元件的半导体层的上表面以及所述第二发光元件的半导体层的上表面更靠下方的位置。
12.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于:
所述凹部的剖视形状为矩形状、倒三角形形状、倒梯形形状的任一种。
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