[发明专利]多层陶瓷电容器及多层陶瓷电容器的制造方法

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，其包括：

多层结构，其中多个陶瓷电介质层中的每一个与多个内部电极层中的每一个交替地堆叠，

其中：

所述陶瓷电介质层包括主要成分陶瓷的多个晶粒和晶界，

(在125℃以10V/μm将直流电压施加于所述多个陶瓷电介质层时的电流值)/(在85℃以10V/μm将直流电压施加于所述多个陶瓷电介质层时的电流值)大于7且小于20；并且

所述多个陶瓷电介质层中的供体元素浓度为大于等于0.05atm％且小于等于0.3atm％。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中所述多个陶瓷电介质层的平均粒径为大于等于80nm且小于等于200nm。

3.根据权利要求1或2所述的多层陶瓷电容器，其中所述供体元素是V、Mo、Nb、La、W和Ta中的至少一种。

4.根据权利要求1或2所述的多层陶瓷电容器，其中所述多个陶瓷电介质层的厚度为1μm或更小。

5.根据权利要求1或2所述的多层陶瓷电容器，其中所述多个陶瓷电介质层中的主要成分陶瓷具有钙钛矿结构。

6.一种多层陶瓷电容器的制造方法，其包括：

形成供体元素相对于主要成分陶瓷的浓度为大于等于0.05atm％且小于等于0.3atm％的生片；

通过交替地堆叠所述生片和用于形成内部电极的导电糊料而形成多层结构；和

烘烤所述多层结构，

其中，所述多层结构在烘烤步骤中烧结，使得在烘烤步骤之后的多层结构中，由所述生片形成的多个陶瓷电介质层包括所述主要成分陶瓷的多个晶粒和晶界，且(在125℃以10V/μm将直流电压施加于所述多个陶瓷电介质层时的电流值)/(在85℃以10V/μm将直流电压施加于所述多个陶瓷电介质层时的电流值)变为大于7且小于20。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在形成所述生片的过程中，形成预先固溶有大于等于0.05atm％且小于等于0.3atm％的所述供体元素的主要成分陶瓷的生片。