[发明专利]多层陶瓷电容器及多层陶瓷电容器的制造方法

说明书

本申请提供一种多层陶瓷电容器，其包括：多层结构，其中多个陶瓷电介质层中的每一个与多个内部电极层中的每一个交替地堆叠，其中：(在125℃以10V/μm将直流电压施加于多个陶瓷电介质层时的电流值)/(在85℃以10V/μm将直流电压施加于多个陶瓷电介质层时的电流值)大于5且小于20；并且多个陶瓷电介质层中的供体元素浓度为大于等于0.05atm％且小于等于0.3atm％。

技术领域

本发明的某方面涉及多层陶瓷电容器以及多层陶瓷电容器的制造方法。

背景技术

由于要求多层陶瓷电容器的小型化和电容增强，正在减小电介质层的厚度。结果，施加到电介质层的电场强度增加。由此，电介质层的寿命性能降低。因此，提出了将供体元素比如Mo(钼)、W(钨)等添加到电介质层中以便提高寿命性能(例如参照日本专利申请公开第2016-139720号和第2016-127120号)。

发明内容

然而，在这些技术中，没有限定供体元素在电介质层中的位置。当供体元素存在于电介质层的主要成分陶瓷的晶粒中时，供体元素有助于电介质层的寿命性能。存在于晶界中的供体元素对电介质层的寿命性能没有贡献。因此，即使限定整个电介质层中供体元素的浓度，也不能达到有利的寿命性能。

本发明的目的在于提供能够实现电介质层的有利寿命性能的多层陶瓷电容器及该多层陶瓷电容器的制造方法。

根据本发明的一方面，提供一种多层陶瓷电容器，其包括：多层结构，其中多个陶瓷电介质层中的每一个与多个内部电极层中的每一个交替地堆叠，其中：(在125℃以10V/μm将直流电压施加于多个陶瓷电介质层时的电流值)/(在85℃以10V/μm将直流电压施加于多个陶瓷电介质层时的电流值)大于5且小于20；并且多个陶瓷电介质层中的供体元素浓度为大于等于0.05atm％且小于等于0.3atm％。

根据本发明的另一方面，提供一种多层陶瓷电容器的制造方法，其包括：形成供体元素相对于主要成分陶瓷的浓度为大于等于0.05atm％且小于等于0.3atm％的生片；通过交替地堆叠生片和用于形成内部电极的导电糊料而形成多层结构；和烘烤多层结构，其中，多层结构在烘烤步骤中烧结，使得在烘烤步骤之后的多层结构中，(在125℃以10V/μm将直流电压施加于多个陶瓷电介质层时的电流值)/(在85℃以10V/μm将直流电压施加于多个陶瓷电介质层时的电流值)变为大于5且小于20。

附图说明

图1示出多层陶瓷电容器的局部透视图；

图2示出多层陶瓷电容器的制造方法的流程图；

图3A和图3B示出实施例1-5以及比较例1和2的温度变化系数(125℃/85℃)和加速寿命值之间的关系。

图4示出比较例1的多层陶瓷电容器的温度变化、泄漏电流值和施加电压之间的关系；

图5示出实施例1的多层陶瓷电容器的温度变化、泄漏电流值和施加电压之间的关系；且

图6示出实施例4的多层陶瓷电容器的温度变化、泄漏电流值和施加电压之间的关系。

具体实施方式

将参照附图给出对实施方式的描述。

[实施方式]

图1示出根据实施方式的多层陶瓷电容器100的局部透视图。如图1所示，多层陶瓷电容器100包括具有长方体形状的多层芯片10以及分别设置在多层芯片10的彼此面对的两个边缘面处的一对外部电极20a和20b。在多层芯片10的该两个边缘面以外的四个面中，将多层芯片10的堆叠方向上的上表面以及下表面以外的两个面称为侧面。外部电极20a和20b延伸到上表面、下表面以及两个侧面。然而，外部电极20a和20b彼此间隔开。