[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括：

于一基底上形成一半导体层；

形成一第一绝缘层，以覆盖该半导体层；

在形成该第一绝缘层之后，进行一第一氢化等离子体处理工艺；

在第一氢化等离子体处理工艺之后，于该第一绝缘层上形成一第一导电层，其中该第一绝缘层位于该第一导电层与该半导体层之间；以及

于该基底上形成一第二导电层，其中该第二导电层与该半导体层电性连接，其中，该制造方法还包括：

形成一第二绝缘层，以覆盖该第一绝缘层，其中该第二绝缘层位于该第一导电层与该第一绝缘层之间，其中，进行该第一氢化等离子体处理工艺的步骤是在形成该第一绝缘层之后以及形成该第二绝缘层之前。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其中该半导体层包括一第一半导体图案及一第二半导体图案，而该薄膜晶体管基板的制造方法还包括：

在形成该第一绝缘层之前，形成一光刻胶层，其中该光刻胶层覆盖该第二半导体图案而未覆盖该第一半导体图案；以及

以该光刻胶层为遮罩，进行一第二氢化等离子体处理工艺。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其中该第一半导体图案的氢含量为H1，该第二半导体图案的氢含量为H2，而H1＞H2。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其中该第一导电层包括分别重叠于该第一半导体图案及该第二半导体图案的一第一栅极及一第二栅极，该第二导电层包括一第一源极、一第一漏极、一第二源极及一第二漏极，该第一源极及该第一漏极分别与该第一半导体图案的不同两区电性连接，该第二源极及该第二漏极分别与该第二半导体图案的不同两区电性连接，该第一栅极、该第一绝缘层、该第一半导体图案、该第一源极及该第一漏极形成一第一薄膜晶体管，该第二栅极、该第一绝缘层、该第二半导体图案、该第二源极及该第二漏极形成一第二薄膜晶体管，其中该第一薄膜晶体管的临界电压为V_th1，该第二薄膜晶体管的临界电压为V_th2，而|V_th1|＜|V_th2|。

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其中该第一导电层包括分别重叠于该第一半导体图案及该第二半导体图案的一第一栅极及一第二栅极，该第二导电层包括一第一源极、一第一漏极、一第二源极及一第二漏极，该第一源极及该第一漏极分别与该第一半导体图案的不同两区电性连接，该第二源极及该第二漏极分别与该第二半导体图案的不同两区电性连接，该第一栅极、该第一绝缘层、该第一半导体图案、该第一源极及该第一漏极形成一第一薄膜晶体管，该第二栅极、该第一绝缘层、该第二半导体图案、该第二源极及该第二漏极形成一第二薄膜晶体管，其中该第一薄膜晶体管的电子迁移率为M1，该第二薄膜晶体管的电子迁移率为M2，而M1＜M2。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其中该半导体层包括一第一半导体图案、一第二半导体图案及一第三半导体图案，而该薄膜晶体管的制造方法还包括：

在形成该第一绝缘层之前，形成一第一光刻胶层，其中该第一光刻胶层覆盖该第一半导体图案及该第二半导体图案而未覆盖该第三半导体图案；以及

以该第一光刻胶层为遮罩，进行一前掺杂工艺。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制造方法，还包括：

在进行该前掺杂工艺后，于该半导体层上形成一第二光刻胶层，其中该第二光刻胶层覆盖第二半导体图案而未覆盖该第一半导体图案及该第三半导体图案；以及

以该第二光刻胶层为遮罩，进行一第二氢化等离子体处理工艺。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其中该第一半导体图案的氢含量为H1，该第二半导体图案的氢含量为H2，该第三半导体图案的氢含量为H3，而H1＞H2，且H3H2。