[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

说明书

一种薄膜晶体管基板的制造方法包括下列步骤。于基底上形成半导体层。形成第一绝缘层，以覆盖半导体层。于第一绝缘层上形成第一导电层，其中第一绝缘层位于第一导电层与半导体层之间。在形成第一绝缘层之后及形成第一导电层之前，对半导体层进行第一氢化等离子体处理工艺。于基底上形成第二导电层，其中第二导电层与半导体层电性连接。此外，通过上述薄膜晶体管基板的制造方法所形成的薄膜晶体管基板也被提出。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件及其制造方法，且特别涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法。

背景技术

随着现代信息科技的进步，各种不同规格的显示面板已被广泛地应用在消费者电子产品中，例如：手机、笔记本电脑、数码相机以及个人数码助理(PDAs)等。一般而言，显示面板包括薄膜晶体管基板、相对于薄膜晶体管基板的对向基板以及位于薄膜晶体管基板的对向基板之间的显示介质。薄膜晶体管基板包括基底以及配置于基底上的薄膜晶体管。在显示面板的所有构件中，薄膜晶体管的优劣影响显示面板的性能甚剧。然而，利用现有的薄膜晶体管工艺，无法制作出兼具各种优良电性(例如：临界电压、电子迁移率及次临界摆幅)的薄膜晶体管。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管基板的制造方法，能制造出电性佳的薄膜晶体管。

本发明提供一种薄膜晶体管基板，其电性佳。

本发明的薄膜晶体管基板的制造方法，包括下列步骤。于基底上形成半导体层。形成第一绝缘层，以覆盖半导体层。于第一绝缘层上形成第一导电层，其中第一绝缘层位于第一导电层与半导体层之间。于基底上形成第二导电层，其中第二导电层与半导体层电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的薄膜晶体管基板制造方法还包括：形成第二绝缘层，以覆盖第一绝缘层，其中第二绝缘层位于第一导电层与第一绝缘层之间。

在本发明的一实施例中，进行上述第一氢化等离子体处理工艺的步骤是在形成上述的第一绝缘层之后以及形成上述的第二绝缘层之前。

在本发明的一实施例中，上述的半导体层包括第一半导体图案及第二半导体图案，而薄膜晶体管基板的制造方法还包括：在形成第一绝缘层之前，形成光刻胶层，其中光刻胶层覆盖第二半导体图案而未覆盖第一半导体图案；以光刻胶层为遮罩，进行第二氢化等离子体处理工艺。

在本发明的一实施例中，上述的第一半导体图案的氢含量为H1，第二半导体图案的氢含量为H2，而H1＞H2。

在本发明的一实施例中，上述的第一导电层包括分别重叠于第一半导体图案及第二半导体图案的第一栅极及第二栅极，第二导电层包括第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极，第一源极及第一漏极分别与第一半导体图案的不同两区电性连接，第二源极及第二漏极分别与第二半导体图案的不同两区电性连接，第一栅极、第一绝缘层、第一半导体图案、第一源极及第一漏极形成第一薄膜晶体管，第二栅极、第一绝缘层、第二半导体图案、第二源极及第二漏极形成第二薄膜晶体管，其中第一薄膜晶体管的临界电压为V_th1，第二薄膜晶体管的临界电压为V_th2，而|V_th1|＜|V_th2|。

在本发明的一实施例中，上述的第一导电层包括分别重叠于第一半导体图案及第二半导体图案的第一栅极及第二栅极，第二导电层包括第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极，第一源极及第一漏极分别与第一半导体图案的不同两区电性连接，第二源极及第二漏极分别与第二半导体图案的不同两区电性连接，第一栅极、第一绝缘层、第一半导体图案、第一源极及第一漏极形成第一薄膜晶体管，第二栅极、第一绝缘层、第二半导体图案、第二源极及第二漏极形成第二薄膜晶体管，其中第一薄膜晶体管的电子迁移率为M1，第二薄膜晶体管的电子迁移率为M2，而M1＜M2。