[发明专利]一种基于宇航应用的PROM评价方法及系统

权利要求书

1.一种基于宇航应用的PROM评价方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤一：对元器件级进行评价；其中，元器件级评价包括存储单元评价、存储单元-存储关联特性评价和元器件级功能性能分析；

步骤二：对板级进行评价；其中，板级评价包括基本功能验证、端口时序验证、电源拉偏测试、上下电测试和与CPU匹配测试；

步骤三：对编程器进行评价；其中，编程器评价包括编程器输出稳定性分析和编程后电阻一致性分析；

在步骤一中，存储单元评价包括如下步骤：

步骤S110：将PROM器件划分为四个象限位置，分别从四个象限位置及中心位置选取若干个存储单元；

步骤S120：以一定电压为步进，对步骤一中选取的若干个存储单元进行扫描，测试每个存储单元的漏电流，通过漏电流得到每个存储单元的击穿电压；

步骤S130：根据每个存储单元的击穿电压得到击穿电压的平均值及标准差，如果标准差除以平均值小于2％，则存储单元击穿电压一致；

在步骤一中，存储单元-存储关联特性评价包括如下步骤：

步骤S210：将PROM器件选取若干个存储单元；

步骤S220：在一定温度下将PROM器件工作不同的指定时间，得到步骤S210中选取的若干个存储单元的电阻；

步骤S230：根据步骤S210中每个存储单元的电阻和不同的指定时间得到电阻随时间的漂移曲线，如果电阻漂移量小于预设值且对PROM器件的功耗影响小于预设值，则PROM的存储单元-存储关联特性稳定。

2.根据权利要求1所述的基于宇航应用的PROM评价方法，其特征在于：在步骤一中，元器件级功能性能分析包括如下步骤：

步骤S310：对若干只PROM器件在-55℃、25℃和125℃条件下进行全参数测试；得到参数的最大值、最小值、平均值和标准差；若在±1标准差内的分布大于60％，则PROM器件电参数一致；

步骤S320：以一定的电压分别正向和负向步进，通过电源电压极限能力试验得到PROM电源电压极限值；

步骤S330：以一定时间间隔负向步进，测试PROM器件在不同操作频率下的功能，得到访问周期的极限值；

步骤S340：对PROM器件进行温度冲击极限试验，得到PROM器件耐温度应力极限值；

步骤S350：使PROM器件在150℃高温下不加电贮存1000h后进行电参数测试，若电参数在预设阈值内，则PROM器件通过150℃、1000h高温存储寿命试验。

3.根据权利要求1所述的基于宇航应用的PROM评价方法，其特征在于：在步骤二中，基本功能验证包括如下步骤：

步骤S410：用指定的编程器将数据模板写入PROM器件；

步骤S420：搭建FPGA控制系统，其中，FPGA控制系统包括上位机和控制板，上位机和控制板相连接，控制板包括FPGA逻辑控制单元，MCU控制单元和PROM器件，MCU控制单元和FPGA逻辑控制单元相连接，FPGA逻辑控制单元和PROM器件相连接，MCU控制单元和FPGA逻辑控制单元相连接；

步骤S430：通过上位机控制FPGA逻辑控制单元对写入PROM器件的数据进行读取；

步骤S440：FPGA将读取的数据返回上位机并与数据模板相比较，如果读取的数据与数据模板一致，则PROM器件的基本功能正确。

4.根据权利要求1所述的基于宇航应用的PROM评价方法，其特征在于：在步骤二中，端口时序验证包括如下步骤：

步骤S510：用指定的编程器将数据模板写入PROM器件；

步骤S520：搭建FPGA控制系统，其中，FPGA控制系统包括上位机和控制板，上位机和控制板相连接，控制板包括FPGA逻辑控制单元，MCU控制单元和PROM器件，MCU控制单元和FPGA逻辑控制单元相连接，FPGA逻辑控制单元和PROM器件相连接，MCU控制单元和FPGA逻辑控制单元相连接；

步骤S530：通过上位机给FPGA逻辑控制单元发送不同读取方式的指令；

步骤S540：FPGA逻辑控制单元执行步骤S520中的指令时，通过示波器采集PROM器件的使能引脚、地址引脚和数据引脚的波形，如果波形符合预设波形，则端口时序正确。