[发明专利]一种基于宇航应用的PROM评价方法及系统

说明书

本发明公开了一种基于宇航应用的PROM评价方法，所述方法包括如下步骤：步骤一：对元器件级进行评价；其中，元器件级评价包括存储单元评价、存储单元‑存储关联特性评价和元器件级功能性能分析；步骤二：对板级进行评价；其中，板级评价包括基本功能验证、端口时序验证、电源拉偏测试、上下电测试和与CPU匹配测试；步骤三：对编程器进行评价；其中，编程器评价包括编程器输出稳定性分析和编程后电阻一致性分析。本发明能够全面的对PROM器件进行评价，对于PROM的评价具有重要意义。

技术领域

本发明属于航空电子电路测试领域，尤其涉及一种基于宇航应用的PROM 评价方法及系统。

背景技术

PROM存储器作为一种重要的存储介质，已经被广泛应用到计算机、移动电子设备、航空工业等领域，常被用作航天电子系统中程序代码以及其他关键信息的存储。由于宇航器件特殊的工作环境，例如：器件工作过程中不可拆卸替换以及空间辐射等条件。这一方面要求PROM具有较高的可靠性，另一方面要求PROM具有空间环境适应性。因此，在PROM正式应用到航天型号任务之前，需要对PROM开展一系列的可靠性评价。

在此之前，PROM的评价方法是针对不同的使用方式而侧重某一方面的内容，评价指标并不全面。因此，由专业的鉴定机构提出一套全面而有效的评价方法，统一开展对PROM的评价工作，并以此指导PROM的应用十分必要。

发明内容

本发明解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供了一种基于宇航应用的PROM评价方法及系统，能够全面的对PROM器件进行评价，对于PROM 的评价具有重要意义。

本发明目的通过以下技术方案予以实现：一种基于宇航应用的PROM评价方法，所述方法包括如下步骤：步骤一：对元器件级进行评价；其中，元器件级评价包括存储单元评价、存储单元-存储关联特性评价和元器件级功能性能分析；步骤二：对板级进行评价；其中，板级评价包括基本功能验证、端口时序验证、电源拉偏测试、上下电测试和与CPU匹配测试；步骤三：对编程器进行评价；其中，编程器评价包括编程器输出稳定性分析和编程后电阻一致性分析。

上述基于宇航应用的PROM评价方法中，在步骤一中，存储单元评价包括如下步骤：步骤S110：将PROM器件划分为四个象限位置，分别从四个象限位置及中心位置选取若干个存储单元；步骤S120：以一定电压为步进，对步骤一中选取的若干个存储单元进行扫描，测试每个存储单元的漏电流，通过漏电流得到每个存储单元的击穿电压；步骤S130：根据每个存储单元的击穿电压得到击穿电压的平均值及标准差，如果标准差除以平均值小于2％，则存储单元击穿电压一致。

上述基于宇航应用的PROM评价方法中，在步骤一中，存储单元-存储关联特性评价包括如下步骤：步骤S210：将PROM器件选取若干个存储单元；步骤S220：在一定温度下将PROM器件工作不同的指定时间，得到步骤S210 中选取的若干个存储单元的电阻；步骤S230：根据步骤S220中每个存储单元的电阻和不同的指定时间得到电阻随时间的漂移曲线，如果电阻漂移量小于预设值且对PROM器件的功耗影响小于预设值，则PROM的存储单元-存储关联特性稳定。

上述基于宇航应用的PROM评价方法中，在步骤一中，元器件级功能性能分析包括如下步骤：步骤S310：对若干只PROM器件在-55℃、25℃和125℃条件下进行全参数测试；得到参数的最大值、最小值、平均值和标准差；若在±1标准差内的分布大于60％，则PROM器件电参数一致；步骤S320：以一定的电压分别正向和负向步进，通过电源电压极限能力试验得到PROM电源电压极限值；步骤S330：以一定时间间隔负向步进，测试PROM器件在不同操作频率下的功能，得到访问周期的极限值；步骤S340：对PROM器件进行温度冲击极限试验，得到PROM器件耐温度应力极限值；步骤S350：使PROM 器件在150℃高温下不加电贮存1000h后进行电参数测试，若电参数在预设阈值内，则PROM器件通过150℃、1000h高温存储寿命试验。