[发明专利]一种双（二乙基）氨基硅烷的精制方法

说明书

本发明涉及一种双（二乙基）氨基硅烷的精制方法，工业级双（二乙基）氨基硅烷进入装有新型杂质分解剂的反应器中，温度30‑80℃，流速1‑5BV/h，得到初步精制的双（二乙基）氨基硅烷气体；再进入装有吸附剂的吸附塔，温度20‑40℃，流速1‑5BV/h；吸附后得到高纯度的双（二乙基）氨基硅烷。

技术领域

本发明涉及一种硅烷的纯化方法，特别是一种双（二乙基）氨基硅烷的精制方法。

背景技术

电子电路，诸如集成电路、显示电路、存储器电路及功率电路，现今已制作得越来越小以增加便携性及运算能力。二氧化硅层用于制造电子电路的有源或无源特征结构的各种应用。在一个应用中，二氧化硅层用以制造多层抗蚀刻叠层，ALD法的具体的成膜方法如下进行：利用所谓的自限制效应，在仅吸附一层前驱体的状态下将未反应的前驱体排气，该自限制效应是：当基板表面被吸附的前驱体覆盖时，则不会发生更多的该气体的吸附。接着，导入反应性气体，使先前的前驱体氧化或还原而仅得到一层具有期望组成的薄膜后，将反应性气体排气。将这样的处理设为一个循环，并重复进行该循环，从而使薄膜生长下去。因此，ALD法中，薄膜二维地生长。含Si薄膜广泛用于半导体、光伏装置、LCD-TFT、平板型装置、耐火材料或航空行业中。含Si薄膜可例如用作具有电学性质的可绝缘的介电材料(SiO2、SiN、SiCN、SiCOH、 MSiOx，其中M为Hf、Zr、Ti、Nb、Ta或Ge且x大于零)，含Si薄膜可用作导电薄膜，如金属硅化物或金属硅氮化物。由于电学装置架构朝向纳米级(尤其低于28nm节点)降低尺寸所施加的严格要求，需要愈来愈精细调节的分子前体，这些分子前体除具有高沉积速率、所产生薄膜的保形性及坚实度以外也满足挥发性(对于ALD制程)、较低制程温度、与各种氧化剂的反应性及低薄膜污染的要求。作为ALD膜的前驱体材料，可以使用(例如)三甲基铝(TMA)、四氯化钛(TiCl4)、三(二甲基氨基)硅烷(3DMAS)、双(二乙基氨基)硅烷(BDEAS)。电子级双(二乙基氨基)硅烷 (BDEAS)的需求也相应提高。

CN107406466A公开了作为二烷基氨基硅烷的制造方法，在由氯硅烷与二烷基胺的反应而合成的方法中，除了目标二烷基氨基硅烷以外，还大量副产二烷基胺的盐酸盐，因此在获得目标二烷基氨基硅烷时，需防止由于大量溶剂所造成的体积效率降低，从而廉价地大量制造。作为使二烷基胺与氯硅烷反应时的溶剂，使用对于反应中所副产的二烷基胺的盐酸盐及金属氯化物而言溶解度高的非质子极性溶剂，及二烷基氨基硅烷的溶解度高、难以溶解卤素化合物的直链状烃或分支状烃，藉此可体积效率高地制造卤素含量少的二烷基氨基硅烷。进行精馏，此可获得卤素含量(氯)成分低的高品质的二烷基氨基硅烷。

CN104080944B公开了含Si薄膜形成前体、其合成方法及使用其以使用气相沉积法沉积含硅薄膜用于制造半导体、光伏装置、LCD-TFT、平板型装置、耐火材料或航空材料的方法。

US2010/0164057中公开诸多含Si前体，包括具有式R4-xSiLx的硅化合物，其中x为具有1-3的值的整数；R可选自H、分支链和未分支链C1-C6烷基、C3-C8环烷基和 C6-C13芳基；且L可选自异氰酸酯基、甲基乙基酮肟、三氟乙酸酯、三氟甲磺酸酯、酰氧基、β- 二酮亚胺(β-diketiminate)、β-二-亚胺(β-di-iminate)、脒、胍、烷氨基、氢化物、烷氧化物或甲酸酯配位体。

现有专利及文献技术所使用双(二乙基氨基)硅烷 (BDEAS)精制，大多使用精馏方式，双(二乙基氨基)硅烷纯度难以超过99.99%。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种双（二乙基）氨基硅烷的精制方法。

为了解决以上技术问题，本发明采用了如下的技术方案：一种双（二乙基）氨基硅烷的精制方法，包括以下步骤：