[发明专利]一种改善光刻标记对准的方法、用于光刻标记对准的外延层及超级结的制备方法

权利要求书

1.一种改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供形成有外延层的衬底，且所述外延层具有远离所述衬底的顶表面、从所述顶表面向内部延伸形成的凹槽，所述凹槽由底壁和侧壁限定，所述底壁与所述外延层的所述顶表面平行，所述侧壁沿所述顶表面向所述外延层的方向延伸；

以使所述底壁暴露且所述侧壁的部分或全部形成薄膜的方式在所述凹槽内沉积薄膜；

所述方法还包括在沉积薄膜之后进行：在所述外延层之上，层叠地形成至少一个外延层；

该凹槽及其中的沉积薄膜能够引起所述至少一个外延层的局部的缺陷，从而使得所述至少一个外延层在该局部的缺陷区域表现出区别于其他区域的可供光刻对准识别的对准条件，所述对准条件包括外延层的表面平整度、颜色和反射率。

2.根据权利要求1所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述外延层的厚度为6~20μm。

3.根据权利要求1所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述外延层的厚度为12~18μm。

4.根据权利要求1所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述外延层的厚度为14~16μm。

5.根据权利要求1所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述外延层的厚度为15μm。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述外延层的电阻率为9~50Ω·cm。

7.根据权利要求1至5中任意一项所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述外延层的电阻率为12~45Ω·cm。

8.根据权利要求1至5中任意一项所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述外延层的电阻率为20~33Ω·cm。

9.根据权利要求1至5中任意一项所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述外延层的电阻率为30~47Ω·cm。

10.根据权利要求1所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述凹槽具有多个。

11.根据权利要求10所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述凹槽为方形槽。

12.根据权利要求10或11所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，全部的所述凹槽以等间距的方式间隙排列。

13.根据权利要求1或4所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述凹槽的深度为0.8~1.5μm。

14.根据权利要求1或4所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述凹槽的深度为0.9~1.4μm。

15.根据权利要求1或4所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述凹槽的深度为1.0~1.2μm。

16.根据权利要求1或4所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述凹槽的深度为1.1~1.3μm。

17.根据权利要求1或4所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述凹槽的尺寸为1μm×1μm至8μm×9μm。

18.根据权利要求1或4所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述凹槽的尺寸为3μm×4μm至7μm×7μm。

19.根据权利要求1或4所述的改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述凹槽的尺寸为4μm×5μm至6μm×6μm。