[发明专利]一种改善光刻标记对准的方法、用于光刻标记对准的外延层及超级结的制备方法

说明书

一种改善光刻标记对准的方法、用于光刻标记对准的外延层及超级结的制备方法，属于微电子芯片领域。方法包括：提供形成有外延层的衬底，且外延层具有远离衬底的顶表面、从顶表面向内部延伸形成的凹槽，凹槽由底壁和侧壁限定，底壁与外延层的顶表面平行，侧壁沿顶表面向外延层的方向延伸；在侧壁的部分或全部形成薄膜。利用此方法进行光刻标记有利于在后续的制造过程中获得较好、更易实现的对准效果。

技术领域

本发明涉及微电子芯片生产制造领域，具体而言，涉及一种改善光刻标记对准的方法、用于光刻标记对准的外延层及超级结的制备方法。

背景技术

PowerMOSFET(功率金属氧化物半导体场效应管)中SuperJunction(超级结)结构是一种耐压层上的创新结构。该结构具有导通电阻低、耐压高、发热量低等特点，而且克服了传统MOSFET的“硅极限”。

超级结产品在工艺制造过程中，常常通过多次外延生长、光刻和注入等工步来实现特定的阱区结构。由于外延生长是在芯片上沿着晶向进行大面积的掺杂生长，因此，每经过一次外延生长后，芯片整体厚度增加，光刻标记也随着发生了形貌变化，使得光刻机难以自动识别。

在制造过程的前期，光刻机的光刻标记识别能够通过多次光刻、腐蚀的方法进行改善，但在传片、做片过程中增加了芯片沾污的几率，后续外延层的质量难以保证。若此问题发生在超级结产品的量产阶段，则将占用产线的产能，增加了产品的成本，严重影响产品的生产效率。

发明内容

基于现有技术的不足，本发明提供了一种改善光刻标记对准的方法、用于光刻标记对准的外延层及超级结的制备方法，以部分或全部地改善、甚至解决以上问题。

本发明是这样实现的：

在第一方面，本发明实施例的提供了一种改善光刻标记对准的方法。

改善光刻标记对准的方法包括：

提供形成有外延层的衬底，且外延层具有远离衬底的顶表面、从顶表面向内部延伸形成的凹槽，凹槽由底壁和侧壁限定，底壁与外延层的顶表面平行，侧壁沿顶表面向外延层的方向延伸；以使底壁暴露且侧壁的部分或全部形成薄膜的方式在凹槽内沉积薄膜。

在第二方面，本发明实施例提供了一种用于光刻标记对准的外延层。

外延层形成于衬底的至少一个表面。外延层从顶部朝向衬底形成有凹槽。凹槽的深度小于外延层的厚度。凹槽由沿外延层厚度方向的侧壁、与表面延伸方向直至的底壁围成，且侧壁的部分或全部形成有薄膜。

在第三方面，本发明实施例提供了一种超级结的制备方法，包括：采用上述的改善光刻标记对准的方法对形成于衬底上的外延层进行刻标记对准。

有益效果：

本发明实施例提供的改善光刻标记对准的方法针对超级结产品在外延生长后，光刻机难以对准识别前层光刻留下的标记，导致光刻效率低、浪费产能的问题而被提出。通过使用以上的对准的方法能够提高光刻机的对对准标记的识别率，降低套刻错位概率的方法。

总体而言，本发明实施例提供的改善光刻标记对准的方法至少具有以下特点：

1.性能改善。本发明光刻对准标记方法利用凹槽侧壁保护的方法，阻止或降低凹槽侧壁硅的外延生长，尽可能阻止凹槽闭合，保留凹槽的完整性。

2.成本降低。本发明相对于其他超级结产品工艺技术而言，标记对准识别的几率大大增加，光刻次数降低，最大程度的保留光刻标记的完整度，实现低成本高效能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，以下将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1是本发明实施例提供的超级结产品外延工序后光刻标记对准的制作流程中步骤1的示意图；