[发明专利]用于具有分割字线的多次可编程存储器（MTPM）的裕度测试

权利要求书

1.一种包括双单元存储器的结构，所述双单元存储器包括第一器件和第二器件，并且被配置为存储对应于由第一字线控制的所述第一器件和由第二字线控制的所述第二器件之间的阈值电压差的数据。

2.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一器件和所述第二器件是所述双单元存储器的场效应晶体管(FET)，并且所述结构是多次可编程存储器(MTPM)阵列。

3.根据权利要求2所述的结构，其中所述第一器件和所述第二器件是NFET。

4.根据权利要求2所述的结构，其中所述第一器件和所述第二器件是PFET。

5.根据权利要求1所述的结构，其中在信号裕度测试操作期间，所述第一字线被以与所述第二字线不同的电压电势启用。

6.根据权利要求5所述的结构，其中在所述信号裕度测试操作的真数据类型测试期间，所述第一字线具有比所述第二字线高的电压电势。

7.根据权利要求5所述的结构，其中在所述信号裕度测试操作的补数据类型测试期间，所述第一字线具有比所述第二字线低的电压电势。

8.根据权利要求1所述的结构，其中在非信号裕度测试读取操作期间，所述第一字线被以与所述第二字线相同的电压电势启用。

9.根据权利要求8所述的结构，其中在所述非信号裕度测试读取操作期间，所述相同的电压电势是所述双单元存储器的阈值电压加上大约50-200mV。

10.一种包括多次可编程存储器(MTPM)阵列的结构，所述多次可编程存储器阵列包括以多行和多列排列的多个双单元存储单元，使得所述多个双单元存储单元中的每一个包括第一NFET器件和第二NFET器件并且被配置为存储对应于由第一字线控制的所述第一器件和由第二字线控制的所述第二器件之间的阈值电压差的数据。

11.根据权利要求10所述的结构，其中在信号裕度测试操作期间，所述第一字线被以与所述第二字线不同的电压电势启用。

12.根据权利要求11所述的结构，其中在所述信号裕度测试操作的真数据类型测试期间，所述第一字线具有比所述第二字线高的电压电势。

13.根据权利要求11所述的结构，其中在所述信号裕度测试操作的补数据类型测试期间，所述第一字线具有比所述第二字线低的电压电势。

14.根据权利要求10所述的结构，其中在非信号裕度测试读取操作期间，所述第一字线被以与所述第二字线相同的电压电势启用。

15.根据权利要求14所述的结构，其中在所述非信号裕度测试读取操作期间，所述相同的电压电势是所述双单元存储器的阈值电压加上大约50-200mV。

16.一种方法，包括：

用写入脉冲对双单元存储器进行编程；

通过将真字线设置为具有比补字线高的电压来验证所述被编程的双单元存储器；以及

通过将所述真字线设置为具有比所述补字线低的电压来验证所述被编程的双单元存储器。

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括掩蔽已在后续编程操作上通过验证的所述双单元存储器的单元，以保护所述单元免受依赖于时间的电介质击穿(TDDB)故障。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述双单元存储器包括第一NFET器件和第二NFET器件，所述第一NFET器件由第一字线控制，所述第二NFET器件由第二字线控制。