[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于具备存储单元、前置放大器以及读出放大器，

所述前置放大器是通过对第1路径流通与所述存储单元相关的第1电流，对与所述第1路径电分离的第2路径流通与所述第1电流相关的第2电流，而进行产生第1电压的第1读取，

对进行过所述第1读取的所述存储单元进行第1数据的写入，并

通过对所述第1路径流通与写入有所述第1数据的所述存储单元相关的第3电流，对所述第2路径流通与所述第3电流相关的第4电流，而进行产生第2电压的第2读取；

所述读出放大器是基于所述第1电压及所述第2电压，对在进行所述第1读取时存储至所述存储单元的数据进行判定。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：

所述前置放大器是

在对所述存储单元进行所述第1读取时，

通过二极管连接的第1晶体管，对所述第1路径流通所述第1电流，

在对所述存储单元进行所述第2读取时，

通过二极管连接的所述第1晶体管，对所述第1路径流通与所述存储单元相关的所述第3电流。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于：

所述前置放大器是

在对所述存储单元进行所述第1读取时，

通过二极管连接的第2晶体管，对所述第2路径流通所述第2电流，

在对所述存储单元进行所述第2读取时，

通过二极管连接的所述第2晶体管，对所述第2路径流通所述第4电流。

4.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于：

所述第1晶体管及第2晶体管的栅极电极连接于所述第1路径。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：

所述前置放大器具备：

第1节点，产生所述第1电压；以及

第2节点，产生所述第2电压。

6.根据权利要求5所述的存储装置，其特征在于：

所述前置放大器是

通过使与所述第4电流相关的电压偏移，而在所述第2节点产生所述第2电压。

7.根据权利要求5所述的存储装置，其特征在于：

所述前置放大器

具备控制所述第1节点及所述第2节点的连接的开关，且

在进行所述第1读取时，

使所述开关成为接通状态，

在进行所述第2读取时，

使所述开关成为断开状态。

8.一种存储装置，其特征在于具备存储单元、前置放大器以及读出放大器，

所述前置放大器是对所述存储单元进行第1读取，而产生第1电压，

对进行过所述第1读取的所述存储单元写入第1数据，

对写入有所述第1数据的所述存储单元进行第2读取，而产生第2电压；

所述读出放大器是基于所述第1电压及所述第2电压，对在所述第1读取时存储至所述存储单元的数据进行判定；且

所述前置放大器具备：

第1节点，产生所述第1电压；

第2节点，产生所述第2电压；以及

第1开关及第2开关，分别控制所述第1节点及所述第2节点的连接；且

所述前置放大器在进行所述第1读取时，

使所述第1及第2开关成为接通状态，

在所述第1读取的途中，使所述第2开关保持接通状态，而使所述第1开关成为断开状态。

9.根据权利要求8所述的存储装置，其特征在于：

所述第1开关或所述第2开关是CMOS晶体管、PMOS晶体管或NMOS晶体管中的任一种。

10.根据权利要求8所述的存储装置，其特征在于：

所述前置放大器

在对所述存储单元进行所述第1读取时，

通过二极管连接的第1晶体管，而流通与所述存储单元相关的第1电流，

在对所述存储单元进行所述第2读取时，

通过所述第1晶体管，而流通与所述存储单元相关的第2电流。