[发明专利]存储装置

说明书

实施方式的存储装置具备存储单元、前置放大器以及读出放大器。前置放大器是通过对第1路径流通与所述存储单元相关的第1电流，对与所述第1路径电分离的第2路径流通与所述第1电流相关的第2电流，而进行产生第1电压的第1读取，对进行过所述第1读取的所述存储单元进行第1数据的写入，并且通过对所述第1路径流通与写入有所述第1数据的所述存储单元相关的第3电流，对所述第2路径流通与所述第3电流相关的第4电流，而进行产生第2电压的第2读取。读出放大器是基于所述第1电压及所述第2电压，对在进行所述第1读取时存储至所述存储单元的数据进行判定。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2017-180935号(申请日：2017年9月21日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及一种存储装置。

背景技术

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式随机存取存储器)是使用具有磁阻效应(Magnetoresistive effect)的磁性元件作为存储信息的存储单元的存储装置。 MRAM作为以高速动作、大容量、非易失性为特征的新一代存储装置而备受关注。另外， MRAM取代DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)及 SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存取存储器)等易失性存储器的研究及开发正在推进。在这种情况下，理想的是，通过与DRAM及SRAM相同的规格来使MRAM 动作，由此抑制开发成本并顺利实现取代。

发明内容

实施方式提供一种高品质的存储装置。

实施方式的存储装置具备存储单元、前置放大器及读出放大器。前置放大器是通过对第1路径流通与所述存储单元相关的第1电流，对与所述第1路径电分离的第2路径流通与所述第1电流相关的第2电流，而进行产生第1电压的第1读取，对进行过所述第1读取的所述存储单元进行第1数据的写入，并且通过对所述第1路径流通与写入有所述第1数据的所述存储单元相关的第3电流，对所述第2路径流通与所述第3电流相关的第4电流，而进行产生第2电压的第2读取。读出放大器是基于所述第1电压及所述第2电压，对在进行所述第1读取时存储至所述存储单元的数据进行判定。

附图说明

图1是表示包含第1实施方式的存储装置的存储器系统的框图。

图2是表示第1实施方式的存储装置的存储器阵列的电路图。

图3是表示第1实施方式的存储装置的存储单元的基本构成的图。

图4是表示第1实施方式的存储装置的读出放大器/写入驱动器的框图。

图5是表示第1实施方式的存储装置的前置放大器的电路图。

图6是表示第1实施方式的存储装置的读出放大器的电路图。

图7是表示包含第1实施方式的存储装置的存储器系统的读取动作的流程图。

图8是第1实施方式的存储器系统的读取动作时的波形图。

图9是表示第1读取动作中的第1实施方式的存储装置的前置放大器的动作的电路图。

图10是表示写入动作中的第1实施方式的存储装置的前置放大器的动作的电路图。

图11是表示第2读取动作中的第1实施方式的存储装置的前置放大器的动作的电路图。

图12是表示包含第1实施方式的存储装置的存储器系统的读取动作时的单元电流与电压的关系的图。

图13是表示第1实施方式的比较例的存储装置的前置放大器的电路图。