[发明专利]引线框架有效
申请号: | 201810135575.2 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN108461471B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 金子健太郎;古畑吉雄;佐藤光春;增田俊男 | 申请(专利权)人: | 新光电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/48 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾红霞;龙涛峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 框架 | ||
本发明涉及一种引线框架和制造引线框架的方法,所述引线框架包括外框架。所述外框架包括:上表面;下表面,其与所述上表面相对;侧表面,其在所述上表面与所述下表面之间;第一凹部,其形成为从所述上表面延伸到所述侧表面;第二凹部,其形成为从所述下表面延伸到所述侧表面;以及弯曲表面,其位于所述侧表面与所述第一凹部的侧壁之间或所述侧表面与所述第二凹部的侧壁之间。
技术领域
本发明涉及引线框架。
背景技术
在背景技术中,存在有用于在其上安装诸如半导体芯片等电子元件的引线框架。在这种引线框架中,已被安装在芯片焊盘上的半导体芯片通过引线与周围的引线连接,并且使用密封树脂对半导体芯片和引线进行密封(例如,参见JP-A-2004-319816和JP-A-2013-58693)。
如将在下述初步技术中描述的,当将具有成形为长边(长侧)的外框架的引线框架储存在框架贮存器中时,存在这样的问题:外框架的长侧表面的直角部分可能与框架贮存器的内壁接触并摩擦从而导致毛刺的产生。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有新颖结构的引线框架,所述引线框架可以防止在引线框架的外框架的侧表面处产生毛刺,以及所述引线框架的制造方法。
根据本发明的一个或多个方面,提供一种引线框架。所述引线框架包括外框架。
所述外框架包括:上表面;下表面,其与所述上表面相对;侧表面,其在所述上表面与所述下表面之间;第一凹部,其形成为从所述上表面延伸到所述侧表面;第二凹部,其形成为从所述下表面延伸到所述侧表面;以及弯曲表面,其位于所述侧表面与所述第一凹部的侧壁之间或所述侧表面与所述第二凹部的侧壁之间。
根据本发明的一个或多个方面,提供一种制造引线框架的方法。
所述方法包括:a)制备其内限定至少一个框架区域的金属板;
b)在所述框架区域中的所述金属板的相对的两个表面上分别形成抗蚀层的图案;c)使用所述抗蚀层作为掩模从相对的两个表面侧对所述金属板进行湿法刻蚀,从而在所述框架区域中形成框架部件;
d)去除所述抗蚀层;以及e)使所述框架部件从所述框架区域分离,从而获得所述引线框架。所述框架部件包括外框架。
所述外框架包括:上表面;下表面,其与所述上表面相对;侧表面,其在所述上表面与所述下表面之间;第一凹部,其形成为从所述上表面延伸到所述侧表面;第二凹部,其形成为从所述下表面延伸到所述侧表面;以及弯曲表面,其位于所述侧表面与所述第一凹部的侧壁之间或所述第二凹部的侧壁与所述侧表面之间。
附图说明
图1A和图1B是用于解释根据初步技术所描述的引线框架的平面图和透视图;
图2是根据实施例的引线框架的平面图;
图3是示出图2中的引线框架的外框架的长侧表面的局部放大透视图;
图4A和图4B是示出图2中的引线框架的外框架的长侧表面的局部平面图;
图5是示出图4A中的第一凹部的变型例的局部平面图;
图6A是沿图3所示的线I-I截取的截面图;
图6B是沿图3所示的线II-II截取的截面图;
图6C是沿图3所示的线III-III截取的截面图;
图7A是示出将图2中的引线框架储存在框架贮存器中的状态的截面图;
图7B是示出将图2中的引线框架储存在框架贮存器中的状态的局部透视图;
图8是示出根据实施例的引线框架的制造方法的平面图(第1部分);
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