[发明专利]薄膜封装结构及其制作方法和显示面板有效

专利信息
申请号: 201810135784.7 申请日: 2018-02-09
公开(公告)号: CN108389877B 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 郭天福 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 钟子敏
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 封装 结构 及其 制作方法 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种薄膜封装结构,其特征在于,包括第一阻隔层、形成于所述第一阻隔层上的由若干微颗粒组成的微颗粒层、形成于所述微颗粒层上的缓冲层和形成于所述缓冲层上的第二阻隔层,其中,所述第一阻隔层与所述第二阻隔层的材料为无机材料,所述微颗粒层的材料为有机材料,所述缓冲层的材料为六甲基二甲硅醚;其中,所述第一阻隔层掺杂碳元素或掺杂碳元素和氟元素;所述第一阻隔层掺杂碳元素后,所述微颗粒层的微颗粒与所述第一阻隔层的接触角至少为40°;所述第一阻隔层掺杂碳元素和氟元素后,所述微颗粒层的微颗粒与所述第一阻隔层的接触角至少为60°。

2.如权利要求1所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述微颗粒包括球形、椭球形、多边体形、柱形、不规则形中的至少一种;所述微颗粒的颗粒粒径为5-50μm。

3.如权利要求1所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述微颗粒层的材料为环氧树脂类或聚酯类有机物;所述缓冲层的材料为六甲基二甲硅醚。

4.一种显示面板,其特征在于,包括衬底基板、形成于所述衬底基板上的TFT层、形成于所述TFT层上的发光层,以及形成于所述发光层上的薄膜封装结构,所述薄膜封装结构包括第一阻隔层、形成于所述第一阻隔层上的由若干微颗粒组成的微颗粒层、形成于所述微颗粒层上的缓冲层和形成于所述缓冲层上的第二阻隔层,其中,所述第一阻隔层与所述第二阻隔层的材料为无机材料,所述微颗粒层的材料为有机材料,所述缓冲层的材料为六甲基二甲硅醚;其中,所述第一阻隔层掺杂碳元素或掺杂碳元素和氟元素;所述第一阻隔层掺杂碳元素后,所述微颗粒层的微颗粒与所述第一阻隔层的接触角至少为40°;所述第一阻隔层掺杂碳元素和氟元素后,所述微颗粒层的微颗粒与所述第一阻隔层的接触角至少为60°。

5.一种薄膜封装结构的制作方法,其特征在于,所述方法包括:

制作第一阻隔层,所述第一阻隔层掺杂碳元素或掺杂碳元素和氟元素;

制作形成于所述第一阻隔层上的由若干微颗粒组成的微颗粒层;

制作形成于所述微颗粒层上的缓冲层;及

制作形成于所述缓冲层上的第二阻隔层;

其中,所述第一阻隔层与所述第二阻隔层的材料为无机材料,所述微颗粒层的材料为有机材料,所述缓冲层的材料为六甲基二甲硅醚;

其中,所述第一阻隔层掺杂碳元素后,所述微颗粒层的微颗粒与所述第一阻隔层的接触角至少为40°;所述第一阻隔层掺杂碳元素和氟元素后,所述微颗粒层的微颗粒与所述第一阻隔层的接触角至少为60°。

6.如权利要求5所述的薄膜封装结构的制作方法,其特征在于,采用原子层沉积、和/或化学气相沉积、和/或物理气相沉积、和/或真空热蒸镀技术制作所述第一阻隔层、和/或所述缓冲层、和/或所述第二阻隔层;采用紫外固化技术固化所述微颗粒。

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