[发明专利]薄膜封装结构及其制作方法和显示面板有效
申请号: | 201810135784.7 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN108389877B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 郭天福 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 封装 结构 及其 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种薄膜封装结构,其特征在于,包括第一阻隔层、形成于所述第一阻隔层上的由若干微颗粒组成的微颗粒层、形成于所述微颗粒层上的缓冲层和形成于所述缓冲层上的第二阻隔层,其中,所述第一阻隔层与所述第二阻隔层的材料为无机材料,所述微颗粒层的材料为有机材料,所述缓冲层的材料为六甲基二甲硅醚;其中,所述第一阻隔层掺杂碳元素或掺杂碳元素和氟元素;所述第一阻隔层掺杂碳元素后,所述微颗粒层的微颗粒与所述第一阻隔层的接触角至少为40°;所述第一阻隔层掺杂碳元素和氟元素后,所述微颗粒层的微颗粒与所述第一阻隔层的接触角至少为60°。
2.如权利要求1所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述微颗粒包括球形、椭球形、多边体形、柱形、不规则形中的至少一种;所述微颗粒的颗粒粒径为5-50μm。
3.如权利要求1所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述微颗粒层的材料为环氧树脂类或聚酯类有机物;所述缓冲层的材料为六甲基二甲硅醚。
4.一种显示面板,其特征在于,包括衬底基板、形成于所述衬底基板上的TFT层、形成于所述TFT层上的发光层,以及形成于所述发光层上的薄膜封装结构,所述薄膜封装结构包括第一阻隔层、形成于所述第一阻隔层上的由若干微颗粒组成的微颗粒层、形成于所述微颗粒层上的缓冲层和形成于所述缓冲层上的第二阻隔层,其中,所述第一阻隔层与所述第二阻隔层的材料为无机材料,所述微颗粒层的材料为有机材料,所述缓冲层的材料为六甲基二甲硅醚;其中,所述第一阻隔层掺杂碳元素或掺杂碳元素和氟元素;所述第一阻隔层掺杂碳元素后,所述微颗粒层的微颗粒与所述第一阻隔层的接触角至少为40°;所述第一阻隔层掺杂碳元素和氟元素后,所述微颗粒层的微颗粒与所述第一阻隔层的接触角至少为60°。
5.一种薄膜封装结构的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
制作第一阻隔层,所述第一阻隔层掺杂碳元素或掺杂碳元素和氟元素;
制作形成于所述第一阻隔层上的由若干微颗粒组成的微颗粒层;
制作形成于所述微颗粒层上的缓冲层;及
制作形成于所述缓冲层上的第二阻隔层;
其中,所述第一阻隔层与所述第二阻隔层的材料为无机材料,所述微颗粒层的材料为有机材料,所述缓冲层的材料为六甲基二甲硅醚;
其中,所述第一阻隔层掺杂碳元素后,所述微颗粒层的微颗粒与所述第一阻隔层的接触角至少为40°;所述第一阻隔层掺杂碳元素和氟元素后,所述微颗粒层的微颗粒与所述第一阻隔层的接触角至少为60°。
6.如权利要求5所述的薄膜封装结构的制作方法,其特征在于,采用原子层沉积、和/或化学气相沉积、和/或物理气相沉积、和/或真空热蒸镀技术制作所述第一阻隔层、和/或所述缓冲层、和/或所述第二阻隔层;采用紫外固化技术固化所述微颗粒。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810135784.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种柔性显示面板及柔性显示器
- 下一篇:显示屏及显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的