[发明专利]薄膜封装结构及其制作方法和显示面板有效
申请号: | 201810135784.7 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN108389877B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 郭天福 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 封装 结构 及其 制作方法 显示 面板 | ||
本发明公开了一种薄膜封装结构及其制作方法和显示面板,薄膜封装结构包括第一阻隔层、微颗粒层、缓冲层、第二阻隔层,其中,第一阻隔层掺杂碳元素。通过在第一阻隔层中掺杂碳元素,对第一阻隔层的表面进行改性,使微颗粒层在第一阻隔层的表面能够形成较大的接触角,避免了微颗粒在第一阻隔层表面扩散以至于无法形成立体颗粒以发挥光学器件作用的情况,从而解决了无法提高出光效率的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及薄膜封装结构及其制作方法和显示面板。
背景技术
在柔性显示应用领域,薄膜封装技术(TFE)具有巨大的发展前景。薄膜封装结构既需要优异的阻水氧性能,同时也需要具有良好的耐弯折性能,除了这些性能要求,薄膜封装结构也必须具有良好的出光效率。
薄膜封装结构通常包括若干阻隔层,相关研究表明,在阻隔层上喷涂小尺寸的微颗粒物可以提高薄膜封装结构整体的出光效率。但是,在阻隔层表面喷涂微颗粒物时,通常因为二者的接触角过小(<5°),导致微颗粒物在阻隔层表面扩散,无法形成立体颗粒以发挥光学器件的作用,从而无法提高出光效率,最终影响薄膜封装结构的整体出光效率。
发明内容
本发明主要提供一种薄膜封装结构及其制作方法和显示面板,旨在解决目前的薄膜封装结构的阻隔层与微颗粒物的接触角过小,导致微颗粒物在阻隔层表面扩散,无法形成立体颗粒以发挥光学器件的作用,从而无法提高出光效率的问题。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:提供一种薄膜封装结构,包括第一阻隔层、形成于所述第一阻隔层上的由若干微颗粒组成的微颗粒层、形成于所述微颗粒层上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的第二阻隔层,其中,所述第一阻隔层掺杂碳元素。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一种技术方案是:提供一种显示面板,包括衬底基板、形成于所述衬底基板上的TFT层、形成于所述TFT层上的发光层,以及形成于所述发光层上的薄膜封装结构,所述薄膜封装结构包括第一阻隔层、形成于所述第一阻隔层上的由若干微颗粒组成的微颗粒层、形成于所述微颗粒层上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的第二阻隔层,其中,所述第一阻隔层掺杂碳元素。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一种技术方案是:提供一种薄膜封装结构的制作方法,所述方法包括:
制作第一阻隔层,所述第一阻隔层掺杂碳元素;
制作形成于所述第一阻隔层上的由若干微颗粒组成的微颗粒层;
制作形成于所述微颗粒层上的缓冲层;及
制作形成于所述缓冲层上的第二阻隔层。
本发明的有益效果是:通过在薄膜封装结构的第一阻隔层中掺杂碳元素,对所述第一阻隔层的表面进行改性,使微颗粒层的微颗粒在所述第一阻隔层的表面能够形成较大的接触角,避免了微颗粒在第一阻隔层表面扩散以至于无法形成立体颗粒以发挥光学器件作用的情况,从而解决了无法提高出光效率的问题。
附图说明
图1a和图1b是本发明薄膜封装结构的结构示意图;
图2是本发明显示面板的结构示意图;
图3是本发明薄膜封装结构的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
请参阅图1a和图1b,是本发明薄膜封装结构的结构示意图。如图1a和图1b所示,本发明薄膜封装结构1用于封装形成于TFT层22上的发光层21。发光层21具体为有机发光层。封装结构1包括第一阻隔层11、形成于第一阻隔层11上的由若干微颗粒组成的微颗粒层12、形成于微颗粒层12上的缓冲层13、形成于缓冲层13上的第二阻隔层14,其中,第一阻隔层11掺杂碳元素,还可以与碳元素共同掺杂氟元素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的