[发明专利]检测存储器阵列中的错位并调整读取和验证定时参数

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

多个存储器单元的区块，其中在每个区块中，将所述存储器单元布置成多个子区块中的垂直串，其中每个区块包括垂直地间隔开的导电层，所述垂直地间隔开的导电层包括连接到所述存储器单元的字线，并且将所述多个子区块布置成衬底上的行；以及

控制电路，将所述控制电路配置为具有用于每个子区块的电压斜坡周期，所述用于每个子区块的电压斜坡周期是所述行中的子区块的位置的函数，其中所述电压斜坡周期用于施加到所述导电层中的至少一个的电压，

其中所述电压斜坡周期在对于所选择的存储器单元的感测操作中被施加到连接到所述所选择的存储器单元的所选择字线，或者在编程循环中被施加到选择栅极线。

2.如权利要求1所述的存储器设备，其中：

每个子区块包括单独的字线；并且

所述电压斜坡周期用于每个子区块中的所述单独的字线。

3.如权利要求1所述的存储器设备，其中：

相邻子区块的集合包括共享的字线；并且

所述电压斜坡周期用于相邻子区块的每个集合中的所述共享的字线。

4.如权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述电压斜坡周期用于连接到所述所选择的存储器单元的所选择的字线；并且

所述电压斜坡周期发生在对于所述所选择的存储器单元的感测操作中，并且包括在(a)当所述电压开始向所述所选择的字线上的分界电平倾斜时的时间和(b)当相对于所述分界电平对于所述所选择的存储器单元进行感测时的时间之间的周期。

5.如权利要求1所述的存储器设备，其中：

每个垂直串包括漏极端选择栅极晶体管；

在每个子区块中，所述导电层中的一个包括连接到所述漏极端选择栅极晶体管的选择栅极线；并且

所述电压斜坡周期用于所述选择栅极线。

6.如权利要求5所述的存储器设备，其中：

所述电压斜坡周期发生在所述编程循环中，并且包括在(a)当所述电压开始在所述选择栅极线上斜降以引起所述漏极端选择栅极晶体管开始从导通状态向不导通状态转换时的时间和(b)当通过电压开始在所述字线上斜升时的时间之间的周期。

7.如权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述电压斜坡周期是沿着所述行的重复模式的函数。

8.如权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述电压斜坡周期沿着所述行交替地相对更大和相对更小。

9.如权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述电压斜坡周期沿着所述行逐步增加。

10.如权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述导电层是伸长的，并且在第一方向上具有共同的长度；

所述导电层的宽度在第二方向上延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向并且垂直于所述垂直串延伸的方向；

所述宽度沿着所述行变化；并且

所述电压斜坡周期随着所述宽度变化。