[发明专利]检测存储器阵列中的错位并调整读取和验证定时参数

说明书

存储器器件和相关联的技术最优地调节对于存储器单元的每个区块或子区块的电压斜坡时间，以考虑制造变化。由于制造工艺中的错位，字线和选择栅极线的宽度可以在不同的子区块中变化。电阻和电压建立时间基于宽度而变化。在一个方面中，对于选择栅极线确定最短可接受的斜降周期。该周期避免了过多的读取错误。然后对于每个子区块，确定对应的最短可接受的字线电压斜坡周期。可以在所测试的子区块或区块当中检测斜降周期的模式，并且将该模式用于在其它子区块或区块中设定斜降周期。因此最小化编程操作或读取操作的总时间。

技术领域

本技术涉及存储器器件的操作。

背景技术

半导体存储器器件在各种电子装置中的使用已经变得越来越流行。例如，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算装置、非移动计算装置和其它装置中。

诸如浮置栅极或电荷俘获材料的电荷储存材料可以用于这样的存储器器件中以储存代表数据状态的电荷。可以将电荷俘获材料垂直地布置为三维(3D)堆叠存储器结构，或者水平地布置为二维(2D)存储器结构。3D存储器结构的一个示例是位成本可扩展(BiCS)架构，其包括交替的导电层和电介质层的堆叠体。

存储器器件包含可以布置成串的存储器单元，例如，在串的端部设置选择栅极晶体管，以选择性地将串的沟道连接到源极线或位线。然而，在操作这样的存储器器件中存在各种挑战。

发明内容

在一个实现方式中，设备包括：多个存储器单元的区块，其中在每个区块中，将存储器单元布置成多个子区块中的垂直串，其中每个区块包括垂直地间隔开的导电层，垂直地间隔开的导电层包括连接到存储器单元的字线，并且将多个子区块布置在衬底上的行中；以及配置为具有用于每个子区块的电压斜坡周期的控制电路，电压斜坡周期是行中的子区块的位置的函数，其中电压斜坡周期用于施加到导电层中的至少一个的电压。

一种用于配置存储器器件的方法包含：对于存储器单元的一个或多个区块的子区块进行多个编程操作，其中将存储器单元布置成垂直串，每个垂直串包括漏极端选择栅极晶体管，每个子区块包括垂直地间隔开的导电层，导电层包含连接到存储器单元的字线和连接到漏极端选择栅极晶体管的选择栅极线，并且将在连接到存储器单元的字线当中的未选择字线上的电压的斜升之前的用于未选择的子区块的选择栅极线上的可允许的电压斜降周期设定为在编程操作的每一个中是不同的；对于子区块中的每一个，在每个编程操作之后进行读取操作，获得读取错误的数量的计数，确定电压斜坡周期的最短值，对于该电压斜坡周期的最短值，读取错误的计数在阈值之下；确定用于与衬底上的子区块的位置相关的子区块的最短值的模式；并且将在涉及的存储器单元的另一区块的子区块的随后操作中使用的控制电路配置为具有电压斜坡周期，其中该配置基于该模式和相对于所选择的子区块的另一区块的子区块的位置。

一种相关设备包括：衬底上的存储器单元的区块的行；在第一时间处启动对于存储器单元的感测操作的装置，该存储器单元连接到区块的行的区块中的所选择的字线，用于启动的装置包括用于将分界电压施加到所选择的字线的装置；以及用于在第二时间处感测存储器单元的装置，其中第二时间基于区块的行中的区块的位置。另外，存储器单元可以在区块的子区块中，并且第二时间可以基于区块中的子区块的位置。

附图说明

图1是示例性存储器器件的框图。

图2是示例性存储器器件100的框图，描绘了控制器122的附加的细节。

图3是包括图1的存储器结构126的示例性3D配置中的区块的集合的存储器器件600的透视图。

图4描绘了图3的区块之一的部分的示例性截面图。

图5描绘了示例性晶体管500。

图6描绘了图4的堆叠体的区域622的近视图。

图7描绘了与图4一致的3D配置中的子区块中的NAND串的示例图。