[发明专利]化合物半导体基板以及功率放大模块

权利要求书

1.一种化合物半导体基板，其中，

具有与第一方向以及和上述第一方向正交的第二方向平行的第一主面、与上述第一主面对置的第二主面、以及从上述第一主面朝向上述第二主面形成的凹部，

上述凹部具有形成在上述第一主面的开口部、与上述开口部对置的底面、以及在上述开口部与上述底面之间形成上述凹部的多个侧面，

上述多个侧面包含：

沿着上述第一方向延伸的至少一个第一侧面，上述第一侧面在上述凹部的内部与上述底面所成的角大致为θ度；以及

沿着上述第二方向延伸的至少一个第二侧面，上述第二侧面在上述凹部的内部与上述底面所成的角大致为φ度，

上述第一主面与上述至少一个第一侧面的接线的总长度比上述第一主面与上述至少一个第二侧面的接线的总长度长，

其中，0＜θ＜90，90＜φ＜180，

上述化合物半导体基板具备多个凹部。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，

上述第一方向与上述化合物半导体基板的晶体取向的[011]方向或者[0－1－1]方向平行，

上述第二方向与上述化合物半导体基板的晶体取向的[01－1]方向或者[0－11]方向平行。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，

上述θ为54.7±4，上述φ为180－θ。

4.根据权利要求2所述的化合物半导体基板，其中，

上述θ为54.7±4，上述φ为180－θ。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的化合物半导体基板，其中，

上述凹部的从上述开口部到上述底面的距离为上述化合物半导体基板的厚度以下。

6.根据权利要求1～4中任意一项所述的化合物半导体基板，其中，

上述化合物半导体基板由GaAs或者InP构成。

7.根据权利要求5所述的化合物半导体基板，其中，

上述化合物半导体基板由GaAs或者InP构成。

8.根据权利要求1～4、7中任意一项所述的化合物半导体基板，其中，

上述化合物半导体基板具有从上述第一主面贯穿上述第二主面的通孔。

9.根据权利要求5所述的化合物半导体基板，其中，

上述化合物半导体基板具有从上述第一主面贯穿上述第二主面的通孔。

10.根据权利要求6所述的化合物半导体基板，其中，

上述化合物半导体基板具有从上述第一主面贯穿上述第二主面的通孔。

11.一种功率放大模块，其中，具有：

权利要求1～10中任意一项所述的化合物半导体基板；

放大元件，形成在上述化合物半导体基板的上述第二主面上；

模块基板，安装了上述化合物半导体基板；以及

粘合剂，夹在上述化合物半导体基板与上述模块基板之间，并填充到上述凹部，

上述粘合剂的导热率比上述化合物半导体基板的导热率高。

12.根据权利要求11所述的功率放大模块，其中，

上述放大元件形成为在上述第二主面上上述放大元件的大致中心被配置在与上述凹部的上述开口部对置的区域。