[发明专利]化合物半导体基板以及功率放大模块

说明书

本发明提供耐剥离性提高的化合物半导体基板。化合物半导体基板具有与第一方向以及和第一方向正交的第二方向平行的第一主面、与第一主面对置的第二主面、以及从第一主面朝向第二主面形成的凹部，凹部具有形成在第一主面的开口部、与开口部对置的底面、以及在开口部与底面之间形成凹部的多个侧面，多个侧面包含沿着第一方向延伸且在凹部的内部与底面所成的角大致为θ(0＜θ＜90)度的至少一个第一侧面、和沿着第二方向延伸且在凹部的内部与底面所成的角大致为φ(90＜φ＜180)度的至少一个第二侧面，第一主面与至少一个第一侧面的接线的总长度比第一主面与至少一个第二侧面的接线的总长度长。

技术领域

本发明涉及化合物半导体基板以及功率放大模块。

背景技术

在搭载于移动电话等移动体通信机的功率放大模块中，一般使用化合物半导体器件。在化合物半导体器件中，例如要求高温、高湿环境下的吸湿后的高温回流(reflow)时的特性变动的抑制等，对可靠性的要求较严格。在这样的高温、高湿环境下，存在化合物半导体芯片从模块基板剥离这样的问题。对于该问题，例如专利文献1公开了在硅半导体芯片的背面形成凹部，并在该凹部填充粘合剂从而与收纳容器的工作台(stage)粘合的构成。在该构成中，由于凹部的形状是与开口部相比内部更宽广的壶形，所以与基板的接合强度提高。

专利文献1：日本实开昭61－4430号公报

但是，专利文献1所公开的构成涉及硅半导体芯片，对于考虑了化合物半导体的性质的构成并未进行研究。

发明内容

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于，提供耐剥离性提高的化合物半导体基板。

为了实现这样的目的，本发明的一个方面所涉及的化合物半导体基板具有与第一方向以及和第一方向正交的第二方向平行的第一主面、与第一主面对置的第二主面、以及从第一主面朝向第二主面形成的凹部，凹部具有形成在第一主面的开口部、与开口部对置的底面、以及在开口部与底面之间形成凹部的多个侧面，多个侧面包含：沿着第一方向延伸的至少一个第一侧面，该第一侧面在凹部的内部与底面所成的角大致为θ(0＜θ＜90)度；和沿着第二方向延伸的至少一个第二侧面，该第二侧面在凹部的内部与底面所成的角大致为φ(90＜φ＜180)度，第一主面与至少一个第一侧面的接线的总长度比第一主面与至少一个第二侧面的接线的总长度长。

根据本发明，能够提供耐剥离性提高的化合物半导体基板。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式所涉及的化合物半导体芯片的俯视图。

图2是图1的A－A线剖视图。

图3是图1的B－B线剖视图。

图4A是用于说明凹部3的制造过程的图。

图4B是用于说明凹部3的制造过程的图。

图4C是用于说明凹部3的制造过程的图。

图4D是用于说明凹部3的制造过程的图。

图4E是用于说明凹部3的制造过程的图。

图5A是安装了本发明的第一实施方式所涉及的化合物半导体芯片的模块的剖视图。

图5B是安装了本发明的第一实施方式所涉及的化合物半导体芯片的模块的剖视图。

图6A是安装了形成有凹部(比较例A)的化合物半导体芯片的模块的剖视图。

图6B是安装了形成有凹部(比较例A)的化合物半导体芯片的模块的剖视图。

图7A是安装了形成有凹部(比较例B)的化合物半导体芯片的模块的剖视图。

图7B是安装了形成有凹部(比较例B)的化合物半导体芯片的模块的剖视图。