[发明专利]一种相移掩模板、阵列基板、其制备方法及显示装置

权利要求书

1.一种相移掩模板，包括基板，位于所述基板上的走线遮光部；其中，所述走线遮光部具有遮光区域和相移区域，其特征在于，在垂直于所述走线遮光部的延伸方向上，所述遮光区域的宽度大于所述走线遮光部对应的区域所形成的图形的设定宽度；

所述相移掩模板还包括：沟道透光部和位于所述沟道透光部的相对两侧的电极遮光部；

在垂直所述走线遮光部的延伸方向上，所述遮光区域的宽度与所述设定宽度的差值为补偿宽度，所述补偿宽度与所述沟道透光部的宽度满足如下关系：

y表示所述补偿宽度，x表示所述沟道透光部的宽度，△T表示在采用所述相移掩模板进行曝光时，所述沟道透光部对应区域的光刻胶厚度与所述走线遮光部对应区域的光刻胶厚度之差。

2.如权利要求1所述的相移掩模板，其特征在于，K=-1.17。

3.如权利要求1所述的相移掩模板，其特征在于，b=3.52。

4.如权利要求1-3任一项所述的相移掩模板，其特征在于，遮光部包括遮光层和相移层；其中，所述遮光部包括所述走线遮光部和所述电极遮光部；所述遮光层覆盖所述遮光区域，所述相移层至少覆盖所述相移区域。

5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基板上形成金属层；

采用如权利要求1-4任一项所述的相移掩模板对所述金属层进行构图，在所述金属层与所述走线遮光部对应的区域形成金属走线的图形。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述基板上形成所述金属层之前还包括：

在所述基板上形成栅电极的图形；

形成覆盖所述栅电极的图形的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层的图形。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，当所述相移掩模板还包括沟道透光部和位于所述沟道透光部的相对两侧的电极遮光部，采用所述相移掩模板对所述金属层进行构图时，还包括：

在所述金属层与所述沟道透光部对应的区域形成沟道，在所述金属层与所述电极遮光部对应的区域形成源极的图形或漏极的图形。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用如权利要求5-7任一项所述的制备方法制备而成。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的阵列基板。