[发明专利]一种相移掩模板、阵列基板、其制备方法及显示装置

说明书

本发明公开了一种相移掩模板、阵列基板、其制备方法及显示装置，相移掩模板在曝光时，虽然走线遮光部对应的区域也存在过曝光的问题，但是将遮光区域的宽度设置成大于图形的设定宽度，虽然形成的图形的实际宽度会小于遮光区域的宽度，但是大于现有相移掩模板的走线遮光部形成的图形的宽度。因此本发明实施例提供的相移掩模板通过调节遮光区域比图形的设定宽度大的宽度，可以使形成的图形的实际宽度等于设定宽度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤指一种相移掩模板、阵列基板、其制备方法及显示装置。

背景技术

掩模板（Mask）又称为光掩模或光罩，是连接设计端与工艺制造端的纽带和桥梁。随着设计技术与制造工艺的进步，目前出现了相移掩模板（Phase Shift Mask，PSM），相移掩模板一般由在基板以及位于基板上的遮光部和透光部形成；其中遮光部一般由金属铬和包围铬的相移材料构成，在利用相移掩模板进行曝光工艺时，通过相移材料的光线会产生180度的相位改变，由于相消干涉（即光的干涉被破坏），因此能提高采用相移掩模板图案形成的图形的分辨率。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种相移掩模板、阵列基板、其制备方法及显示装置，用以解决现有技术中存在的由于过曝光导致实际制得的图形的宽度小于设定宽度的问题。

本发明实施例提供的一种相移掩模板，包括基板，位于所述基板上的走线遮光部；其中，所述走线遮光部具有遮光区域和相移区域，在垂直于所述走线遮光部的延伸方向上，所述遮光区域的宽度大于所述走线遮光部对应的区域所形成的图形的设定宽度。

可选地，在本发明实施例提供的相移掩模板中，还包括：沟道透光部和位于所述沟道透光部的相对两侧的电极遮光部；

在垂直所述走线遮光部的延伸方向上，所述遮光区域的宽度与所述设定宽度的差值为补偿宽度，所述补偿宽度与所述沟道透光部的宽度相关。

可选地，在本发明实施例提供的相移掩模板中，所述补偿宽度与所述沟道透光部的宽度满足如下关系： 

y表示所述补偿宽度，x表示所述沟道透光部的宽度。

可选地，在本发明实施例提供的相移掩模板中，所述补偿宽度与所述沟道透光部的宽度满足如下关系： 

y表示所述补偿宽度，x表示所述沟道透光部的宽度，△T表示在采用所述相移掩模板进行曝光时，所述沟道透光部对应区域的光刻胶厚度与所述走线遮光部对应区域的光刻胶厚度之差。

可选地，在本发明实施例提供的相移掩模板中，K=-1.17。

可选地，在本发明实施例提供的相移掩模板中，b=3.52。

可选地，在本发明实施例提供的相移掩模板中，遮光部包括遮光层和相移层；其中，所述遮光部包括所述走线遮光部和所述电极遮光部；所述遮光层覆盖所述遮光区域，所述相移层至少覆盖所述相移区域。

相应地，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

在基板上形成金属层；

采用本发明实施例提供的相移掩模板对所述金属层进行构图，在所述金属层与所述走线遮光部对应的区域形成金属走线的图形。

可选地，在本发明实施例提供的制备方法中，在所述基板上形成所述金属层之前还包括：

在所述基板上形成栅电极的图形；

形成覆盖所述栅电极的图形的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层的图形。

可选地，在本发明实施例提供的制备方法中，当所述相移掩模板还包括沟道透光部和位于所述沟道透光部的相对两侧的电极遮光部，采用所述相移掩模板对所述金属层进行构图时，还包括：