[发明专利]显示面板的绑定区结构及其制作方法、显示面板有效
申请号: | 201810143369.6 | 申请日: | 2018-02-11 |
公开(公告)号: | CN108258026B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 李鹏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 绑定 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板的绑定区结构,其特征在于,包括基板(100)、设于基板(100)上方的导体层(200)以及设于导体层(200)及基板(100)上方的第一绝缘层(300);
所述基板(100)上设有间隔设置的多个绑定接触区(110)、设于相邻的绑定接触区(110)之间的间隔区(120)以及设于多个绑定接触区(110)与间隔区(120)所在区域外侧的周边绝缘区(130);
所述导体层(200)包括多个间隔的绑定接触图案(210),所述多个绑定接触图案(210)分别与多个绑定接触区(110)对应;
所述第一绝缘层(300)对应多个绑定接触区(110)设有多个开口(310),所述第一绝缘层(300)对应间隔区(120)的部分的厚度小于对应周边绝缘区(130)的部分的厚度。
2.如权利要求1所述的显示面板的绑定区结构,其特征在于,还包括设于基板(100)上的第二绝缘层(400),所述导体层(200)设于第二绝缘层(400)上,所述第一绝缘层(300)设于导体层(200)及第二绝缘层(400)上。
3.如权利要求2所述的显示面板的绑定区结构,其特征在于,所述基板(100)为玻璃基板或玻璃基板与聚酰亚胺层的层叠结构;
所述第二绝缘层(400)的材料为氮化硅或氧化硅;
所述导体层(200)为钼层、两层钼层夹一层铝层、两层钛层夹一层铝层或两层氧化铟锡层夹一层银层;
所述第一绝缘层(300)的材料为光阻。
4.一种显示面板的绑定区结构的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1、提供一基板(100);
所述基板(100)上设有间隔设置的多个绑定接触区(110)、设于相邻的绑定接触区(110)之间的间隔区(120)以及设于多个绑定接触区(110)与间隔区(120)所在区域外侧的周边绝缘区(130);
步骤S2、在所述基板(100)上形成第二绝缘层(400);
步骤S3、在第二绝缘层(400)上形成导体材料并进行图案化,得到导体层(200);
所述导体层(200)包括多个间隔的绑定接触图案(210),所述多个绑定接触图案(210)分别与多个绑定接触区(110)对应;
步骤S4、提供一掩膜板(900);在所述导体层(200)及第二绝缘层(400)上涂布光阻层(301),利用所述掩膜板(900)对所述光阻层(301)进行曝光及显影,形成第一绝缘层(300);
所述第一绝缘层(300)对应多个绑定接触区(110)设有多个开口(310),所述第一绝缘层(300)对应间隔区(120)的部分的厚度小于对应周边绝缘区(130)的部分的厚度。
5.如权利要求4所述的显示面板的绑定区结构的制作方法,其特征在于,
所述步骤S2中,利用化学气相沉积的方式在所述基板(100)上形成第二绝缘层(400);
所述步骤S3中,利用物理气相沉积的方式在第二绝缘层(400)上形成导体材料。
6.如权利要求4所述的显示面板的绑定区结构的制作方法,其特征在于,所述光阻层(301)的材料为正性光阻;
所述掩膜板(900)包括:多个间隔的全透光区(910)、设于相邻的全透光区(910)之间的半透光区(920)以及设于全透光区(910)与半透光区(920)所在区域外侧的遮光区(930)。
7.如权利要求6所述的显示面板的绑定区结构的制作方法,其特征在于,所述半透光区(920)包括多个全透光子区(921)及除全透光子区(921)以外的遮光子区(922)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的