[发明专利]显示面板的绑定区结构及其制作方法、显示面板有效
申请号: | 201810143369.6 | 申请日: | 2018-02-11 |
公开(公告)号: | CN108258026B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 李鹏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 绑定 结构 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种显示面板的绑定区结构及其制作方法、显示面板。本发明的显示面板的绑定区结构包括基板、导体层以及第一绝缘层,基板上设有间隔设置的多个绑定接触区、间隔区以及周边绝缘区,导体层包括分别与多个绑定接触区对应的多个绑定接触图案,第一绝缘层对应多个绑定接触区设有多个开口,第一绝缘层对应间隔区的部分的厚度小于对应周边绝缘区的部分的厚度,以使第一绝缘层对应间隔区的部分的支撑力降低,从而在将COF与所述显示面板的绑定区结构绑定后,增大绑定接触图案与COF的接触面积,有助于显示面板向高分辨率方向发展,提升显示面板的产品品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板的绑定区结构及其制作方法、显示面板。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(TFT)矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
OLED器件通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。
AMOLED显示器的生产过程中,覆晶薄膜(COF)绑定工艺是AMOLED模组阶段生产的重要环节,在COF绑定工艺中,需要将COF与显示面板的绑定接触图案接触,然而为实现高分辨率,现有的COF的线宽(pitch)需要不断缩小,为保证产品的品质,降低COF绑定工艺中COF与绑定接触图案接触面积的减小量是设计者需要考虑的重要问题之一。
请参阅图1及图2,为现有的一种显示装置的绑定区结构的示意图,现有的显示装置的绑定区结构包括:基板100’、设于基板100’上的第一绝缘层200’、设于第一绝缘层200’上的金属层300’以及设于金属层300’及第一绝缘层200’上的第二绝缘层400’,所述基板100’上设有多个间隔设置的绑定接触区110’、设于相邻绑定接触区110’之间的间隔区120’以及设于绑定接触区110’及间隔区120’外侧的周边绝缘区130’,所述金属层300’包括多个绑定接触图案310’,所述多个绑定接触图案310’分别与多个绑定接触区110’对应,所述第二绝缘层200’对应多个绑定接触图案310’上方设有多个开口210’,而第二绝缘层200’对应间隔区120’的部分的厚度与对应周边绝缘区130’的部分的厚度相同,因而第二绝缘层200’对应间隔区120’的部分具有较强的支撑力,这会导致若COF的线宽减小后,在将COF绑定在该显示面板的绑定结构上时,绑定接触图案310’与COF的实际接触面积的减小量较预期增大,因此限制了AMOLED显示器向高分辨率的方向发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板的绑定区结构,能够在绑定时增大其绑定接触图案与COF的接触面积,提升显示面板的产品品质。
本发明的另一目的在于提供一种显示面板的绑定区结构的制作方法,制得的显示面板的绑定区结构能够在绑定时增大其绑定接触图案与COF的接触面积,提升显示面板的产品品质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的