[发明专利]一种FinFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810144441.7 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108305901A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 郭奥;刘林林 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属型 制备 鳍结构 漏极 源极 漏极凹槽 漏极区域 源极凹槽 源极区域 边缘电容 工艺制备 寄生电容 寄生电阻 金属源漏 源漏结构 直接制备 替换型 栅介质 衬底 刻蚀 金属 主流 制作 改进 | ||
1.一种FinFET器件，其特征在于，包括位于衬底之上的鳍结构，位于鳍结构上的栅介质、栅极、源极、漏极以及金属引出层，所述栅极和栅介质覆盖于鳍结构中间部分的两侧和上表面，所述源极和漏极分别位于鳍结构两端的凹槽中，所述凹槽通过刻蚀栅极两侧的鳍结构得出，所述源极为金属型源极，所述漏极为金属型漏极，所述金属引出层用于将源极和漏极引出。
2.一种制作权利要求1所述FinFET器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S01：在衬底上制备鳍结构，并在鳍结构中间位置形成栅介质和栅极；
S02：在鳍结构两端分别定义出源极区域和漏极区域，并在源极区域和漏极区域中刻蚀出源极凹槽和漏极凹槽；
S03：在源极凹槽和漏极凹槽中分别制备金属型源极和金属型漏极；
S04：对源极和漏极进行金属引出及后道工艺制备。
3.根据权利要求2所述的一种制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述鳍结构的材料为Si或Ge或SiGe或III-V族化合物半导体。
4.根据权利要求2所述的一种制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述步骤S03中，制备金属型源极和金属型漏极的具体过程为：利用薄膜沉积以及光刻和刻蚀工艺在源极凹槽和漏极凹槽中形成导电金属，然后利用界面工程调控金属-半导体接触的肖特基势垒，形成低势垒接触的金属型源极和金属型漏极。
5.根据权利要求4所述的一种制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述导电金属为Ni或Al。
6.根据权利要求2所述的一种制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述步骤S03中，制备金属型源极和金属型漏极的具体过程为：先在源极凹槽和漏极凹槽中外延生长不同于鳍结构的半导体层，然后在该半导体层上淀积合金金属，最后通过合金工艺对该半导体层进行完全合金化，形成金属型源极和金属型漏极。
7.根据权利要求6所述的一种制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述合金金属为Ni或Co。
8.根据权利要求2所述的一种制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述步骤S03中，制备金属型源极和金属型漏极的具体过程为：在源极凹槽和漏极凹槽中采用定位催化剂直接原位生长高导电率的纳米导电材料，形成金属型源极和金属型漏极。
9.根据权利要求8所述的一种制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述纳米导电材料为碳纳米管或石墨烯。
10.根据权利要求1所述的一种制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述步骤S02中通过标准光刻工艺定义出源极区域和漏极区域，然后通过常规刻蚀工艺刻蚀源极凹槽和漏极凹槽。
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