[发明专利]柔性基材固定方法及柔性基板在审
| 申请号： | 201810144606.0 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108417511A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 贺术春;张启威 | 申请（专利权）人： | 郴州市晶讯光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 黄敏华 |
| 地址： | 423300 湖南省郴州市永兴县*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性基材 承载基板 柔性器件 胶水 温控 自动化生产 后续加工 加工效率 加热处理 均匀涂抹 现有设备 固定的 量产 贴附 加热 节约 | ||
1.柔性基材固定方法，其特征在于：其包括以下步骤：
步骤一、选择便于柔性基材（3）后续加工的承载基板；
步骤二、在承载基板上均匀涂抹一层温控胶水（2）；
步骤三、加热承载基板使温控胶水（2）产生粘性，将柔性基材（3）贴附在承载基板上；
步骤四、继续进行加热处理直至柔性基材（3）与承载基板粘成一体，获得被固定的柔性基材（3）。
2.根据权利要求1所述的柔性基材固定方法，其特征在于：所述承载基板设为玻璃基板（1）。
3.根据权利要求1所述的柔性基材固定方法，其特征在于：在步骤二中，温控胶水（2）的涂抹厚度为50-100um。
4.根据权利要求1所述的柔性基材固定方法，其特征在于：在步骤三中，加热温度为50℃。
5.根据权利要求1所述的柔性基材固定方法，其特征在于：在步骤三中，采用覆膜设备将柔性基材（3）覆盖在承载基板上。
6.根据权利要求1述的柔性基材固定方法，其特征在于：在步骤四中，加热处理的温度为120℃，加热处理的时间为60分钟。
7.根据权利要求1述的柔性基材固定方法，其特征在于：在步骤三和四中，采用热板进行加热。
8.根据权利要求1所述的柔性基材固定方法，其特征在于：还包括步骤五：当被固定的柔性基材（3）后续加工完毕后，将其置于0℃以下进行柔性基材（3）与承载基板的自动分离。
9.根据权利要求8所述的柔性基材固定方法，其特征在于：在步骤五中，将被固定的柔性基材（3）置于0℃以下的冷板上，则柔性基材（3）与承载基板自动分离。
10.柔性基板，其特征在于：其包括玻璃基板（1）、柔性基材（3）以及设于二者之间的温控胶水（2），且采用权利要求1-7中任一项所述的柔性基材固定方法固定成一体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郴州市晶讯光电有限公司，未经郴州市晶讯光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810144606.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液体处理装置
- 下一篇：一种晶圆ID识别系统及其识记方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
