[发明专利]一种纳米压印模板的制作方法在审
| 申请号： | 201810145263.X | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108319107A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋大伟;张铮;陈杰;王涛;陈正才;高向东 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米压印模板 光刻胶 圆片 目标图形 制作 光刻机 刻蚀机 微纳米加工 工艺步骤 目标结构 放入 光刻 刻蚀 量产 铺设 | ||
1.一种纳米压印模板的制作方法，其特征在于，所述纳米压印模板的制作方法包括：
提供圆片、光刻机、光刻胶和刻蚀机；
在所述圆片上铺设光刻胶，通过所述光刻机对所述光刻胶进行光刻得到目标图形；
将带有所述目标图形的圆片放入所述刻蚀机中进行刻蚀，得到目标结构作为模板。
2.根据权利要求1所述的纳米压印模板的制作方法，其特征在于，所述圆片的平整度小于3μm。
3.根据权利要求1所述的纳米压印模板的制作方法，其特征在于，所述刻蚀机包括干法刻蚀机。
4.根据权利要求3所述的纳米压印模板的制作方法，其特征在于，通过所述干法刻蚀机进行刻蚀时，刻蚀腔体的压力在25mTorr~60mTorr之间。
5.根据权利要求3所述的纳米压印模板的制作方法，其特征在于，通过所述干法刻蚀机进行刻蚀时，腐蚀气体和沉积气体的气流量比例在1~2之间。
6.根据权利要求3所述的纳米压印模板的制作方法，其特征在于，通过所述干法刻蚀机进行刻蚀时，射频功率在1500W~3000W之间。
7.根据权利要求1所述的纳米压印模板的制作方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度均匀性STDEV<0.6nm。
8.根据权利要求7所述的纳米压印模板的制作方法，其特征在于，所述光刻胶的剖面角大于85°。
9.根据权利要求7所述的纳米压印模板的制作方法，其特征在于，所述光刻胶包括型号为SPR955的光刻胶。
10.根据权利要求1至9中任意一项所述的纳米压印模板的制作方法，其特征在于，所述圆片的材料包括硅。
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