[发明专利]电子组件封装体以及显示面板

权利要求书

1.一种电子组件封装体，其特征在于，包括：

基板，具有组件区以及位于该组件区以外的透光区；

至少一电子组件，配置于该组件区上；以及

封装层，配置于该基板上且覆盖该至少一电子组件，其中该封装层由该组件区连续延伸至该透光区，且该封装层在该组件区上的氮元素含量高于在该透光区上的氮元素含量。

2.如权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，该封装层在该组件区上的氮元素含量大于等于7at%。

3.如权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，该封装层具有第一富氮区以及第一富氧区，该第一富氧区位于该透光区，该第一富氮区位于该组件区。

4.如权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，该封装层具有第一富氮区以及第一富氧区，该第一富氧区位于该透光区以及该组件区靠近该至少一电子组件的一侧，该第一富氮区位于该组件区的该第一富氧区上方。

5.如权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，该封装层包括:

第一阻障层，具有第一富氮区以及第一富氧区，该第一富氧区位于该透光区，该第一富氮区位于该组件区；以及

第二阻障层，该第二阻障层配置于该第一阻障层上，且具有第二富氮区以及第二富氧区，该第二富氧区位于该透光区，且该第二富氮区位于该组件区。

6.如权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，该封装层包括:

第一阻障层，具有第一富氮区以及第一富氧区，该第一富氧区位于该透光区，该第一富氮区位于该组件区；以及

第二阻障层，配置于该第一阻障层上，且具有第二富氮区以及第二富氧区，其中该第二富氧区位于该透光区以及该组件区上靠近该至少一电子组件的一侧，且该第二富氮区位于该组件区的该第二富氧区上。

7.如权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，该封装层包括:

第一阻障层，具有第一富氮区以及第一富氧区，该第一富氧区位于该透光区，且该第一富氮区位于该组件区；以及

第二阻障层，该第二阻障层配置于该第一阻障层上，且具有层叠的第二富氮区以及第二富氧区，其中该第二富氧区位于靠近该第一阻障层的一侧，且该第二富氮区位于该第二富氧区上。

8.如权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，该封装层包括:

第一阻障层，具有第一富氮区以及第一富氧区，该第一富氧区位于该透光区以及该组件区靠近该至少一电子组件的一侧，且该第一富氮区位于该组件区的该第一富氧区上方；以及

第二阻障层，该第二阻障层配置于该第一阻障层上，且具有第二富氮区以及第二富氧区，该第二富氧区位于该透光区，该第二富氮区位于该组件区。

9.如权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，该封装层包括:

第一阻障层，具有第一富氮区以及第一富氧区，该第一富氧区位于该透光区以及该组件区靠近该至少一电子组件的一侧，且该第一富氮区位于该组件区的该第一富氧区上方；以及

第二阻障层，该第二阻障层配置于该第一阻障层上，且具有第二富氮区以及第二富氧区，其中该第二富氧区位于该透光区以及该组件区靠近该至少一电子组件的一侧，且该第二富氮区位于该组件区的该第二富氧区上方。

10.如权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，该封装层包括:

第一阻障层，具有第一富氮区以及第一富氧区，该第一富氧区位于该透光区以及该组件区靠近该至少一电子组件的一侧，且该第一富氮区位于该组件区的该第一富氧区上方；以及

第二阻障层，该第二阻障层配置于该第一阻障层上，且具有层叠的第二富氮区以及第二富氧区，其中该第二富氧区位于靠近该第一阻障层的一侧，且该第二富氮区位于该第二富氧区上。