[发明专利]具有较低的远场辐射和较高的噪声抗扰度的耦合线圈

权利要求书

1.微制造的线圈结构，包括：

基板；

在所述基板上的第一对交错线圈，所述第一对交错线圈包括第一线圈和第二线圈，所述第一线圈从第一端子到第二端子在第一方向上缠绕，所述第二线圈从第三端子到第四端子在所述第一方向上缠绕，所述第一端子、第二端子、第三端子和第四端子耦合到相应的四个接合焊盘；

在所述基板上的第二对交错线圈，所述第二对交错线圈能够与所述第一对交错线圈电磁耦合并电流隔离；和

隔离层，使所述第一对交错线圈和所述第二对交错线圈分离，

其中所述第一对交错线圈是第一对交错的S线圈，所述第二对交错线圈是第二对交错的S线圈，

其中所述第一对交错的S线圈和第二对交错的S线圈中的每一个S线圈都包括在一个方向缠绕的该S线圈的一部分和在相反的方向上缠绕的同一S线圈的另一部分，

其中所述相应的四个接合焊盘被连接为使得电流被配置为从第一焊盘流向第二焊盘，从第二焊盘流向第三焊盘，并从第三焊盘流向第四焊盘。

2.权利要求1所述的微制造的线圈结构，其中所述第二对交错线圈沿基本上与其上设置所述第一对交错线圈的基板表面垂直的方向与所述第一对交错线圈基本上对齐。

3.权利要求1所述的微制造的线圈结构，其中所述第一对交错线圈的线圈表示与所述基板的表面基本平行的第一单独金属化层的部分。

4.权利要求3所述的微制造的线圈结构，其中所述第二对交错线圈的线圈表示与所述基板的所述表面基本平行的第二单独金属化层的部分。

5.权利要求1所述的微制造的线圈结构，其中所述隔离层包括第一层和第二层，所述第一层是聚酰亚胺，所述第二层是SiN。

6.权利要求1所述的微制造的线圈结构，包括：中心抽头，其连接所述第一线圈的第二端子和所述第二线圈的第三端子。

7.权利要求1所述的微制造的线圈结构，其中所述第二对交错线圈包括第一线圈和第二线圈，所述第二线圈在与所述第一线圈相同方向上缠绕，

所述第二对交错线圈的第一和第二线圈分别与所述第一对交错线圈的第一和第二线圈基本对齐，并且其中所述第二对交错线圈的第一线圈的端子与所述第二对交错线圈的第二线圈的端子电连接。

8.权利要求1所述的微制造的线圈结构，其中第一和第二对交错S线圈的每一对均包括第一和第二S线圈，所述第二对交错S线圈的第一和第二S线圈分别和所述第一对交错线圈的第一和第二S线圈基本对齐。

9.权利要求1所述的微制造的线圈结构，其中所述第一对交错S线圈包括具有不等匝数的线圈部分。

10.隔离器，包括：

微制造的变压器，包括初级线圈和次级线圈，其中所述初级线圈是基板上的第一对交错线圈，所述第一对交错线圈包括第一线圈和第二线圈，所述第一线圈从第一端子到第二端子在第一方向上缠绕，所述第二线圈从第三端子到第四端子在所述第一方向上缠绕，所述第一端子、第二端子、第三端子和第四端子耦合到相应的四个接合焊盘，所述次级线圈是所述基板上的第二对交错线圈，所述第二对交错线圈通过隔离层与所述第一对交错线圈隔离，并且所述第二对交错线圈能够与所述第一对交错线圈电磁耦合并电流隔离；

发射器，其中所述发射器被配置为驱动所述初级线圈；和

接收器，其中所述接收器被配置为接收来自所述次级线圈的信号，

其中，所述第一对交错线圈包括第一SS线圈，所 述第二对交错线圈包括第二SS线圈，所述第一SS线圈和第二SS线圈每一个都包括交错的S线圈，

其中所述S线圈中的每一个包括在一个方向缠绕的该S线圈的一部分和在相反的方向上缠绕的同一S线圈的另一部分，

其中所述相应的四个接合焊盘被连接为使得电流被配置为从第一焊盘流向第二焊盘，从第二焊盘流向第三焊盘，并从第三焊盘流向第四焊盘。