[发明专利]具有较低的远场辐射和较高的噪声抗扰度的耦合线圈

说明书

本公开涉及具有较低的远场辐射和较高的噪声抗扰度的耦合线圈。描述微制造的线圈。在一些情况中，微制造的线圈包括交错线圈。在一些情况中，交错线圈对相对比彼此堆叠，由隔离材料分离开。在一些情况中，交错线圈具有S‑状。交错线圈可用于电流隔离器。

相关申请的交叉引用

本申请根据35U.S.C.§119(e)要求于2017年2月13日提交的、代理人案号为G0766.70161US00、标题为“Coupled Coils with Lower Far Field Radiation andHigher Noise Immunity”的美国临时专利申请No.62/458,505的权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本申请涉及微制造的线圈。

背景技术

某些类型的电路使用线圈或绕组。例如，具有电感器或变压器的电路可以使用绕组。例子包括电流隔离器。微制造的电路有时使用微制造的线圈。

发明内容

描述了微制造的线圈。在一些情况中，微制造的线圈包括交错线圈。在一些情况中，交错线圈对相对比彼此堆叠，由隔离材料分离开。在一些情况中，交错线圈具有S-状。交错线圈可用于电流隔离器。

根据本申请的一个方面，提供微制造的线圈结构。微制造的线圈结构可包括：基板；基板上的第一对交错线圈；基板上的第二对交错线圈，第二对交错线圈电磁耦合第一对交错线圈；和隔离层，使所述第一对交错线圈和所述第二对交错线圈分离。

根据本申请的另一方面，提供隔离器。隔离器可包括微制造的变压器，包括：初级线圈和次级线圈；发射器，其中发射器被配置为驱动所述初级线圈；和接收器，其中接收器被配置为接收来自所述次级线圈的信号。初级线圈可以是基板上的第一对交错线圈。次级线圈可以是基板上的第二对交错线圈。第二对交错线圈可通过隔离层和所述第一对交错线圈隔离。第二对交错线圈可电磁耦合第一对交错线圈。

根据本申请的另一方面，提供在基板上制造线圈结构的方法。该方法可包括：制造第一对交错线圈；在第一对交错线圈上形成隔离层；和在隔离层上形成第二对交错线圈。

附图说明

将参考以下附图来描述本申请的各个方面和实施例。应该理解的是，附图不一定按比例绘制。出现在多个图中的项目在它们出现的所有图中用相同的参考数字表示。

图1A是示出根据一些非限制性实施例的微制造的堆叠交错线圈的示意图。

图1B是根据一些非限制性实施例的沿着1B-1B的图1A的微制造的堆叠交错线圈的横截面图。

图1C是根据一些非限制性实施例的图1A的一对微制造的堆叠交错线圈的俯视图。

图1D是图1A的微制造的堆叠交错线圈的等效电路。

图1E是根据一些非限制性实施例示出图1A和1B的微制造的堆叠交错线圈的操作示例的流程图。

图2A是示出根据一些非限制性实施例的一对微制造的交错S线圈的示意图。

图2B是图2A的交错线圈的等效电路。

图2C是示出根据一些非限制性实施例的一对微制造的交错S线圈的替代布局的示意图。

图2D是图2C的交错线圈的等效电路。

图2E是根据一些非限制性实施例的具有接合焊盘布置的图2A的交错S线圈的布局图。

图2F是根据一些非限制性实施例的具有接合焊盘布置的图2C的交错S线圈的布局图。

图2G是根据一些非限制性实施例的具有接合焊盘布置的交错S线圈的可选布局的布局图。