[发明专利]基板液处理装置有效
申请号: | 201810150054.4 | 申请日: | 2018-02-13 |
公开(公告)号: | CN108428645B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 永井高志;佐藤秀明;北野淳一;後藤堅司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板液 处理 装置 | ||
1.一种基板液处理装置,具备:
处理槽,其贮存处理液,并且通过将基板浸于所贮存的所述处理液中来进行所述基板的处理;
循环线,其与所述处理槽连接;
泵,其设置于所述循环线,用于形成从所述处理槽出来经过所述循环线后返回到所述处理槽的所述处理液的流动;
加热器,其设置于所述循环线,加热所述处理液;
至少两个温度传感器,其设置于包括所述处理槽和所述循环线的循环系统内的彼此不同的位置;以及
控制器,其基于所述至少两个温度传感器的检测温度来控制所述加热器的发热量,
其中,所述至少两个温度传感器具有设置于循环线内的第一温度传感器和第二温度传感器,从所述处理液的流动方向观察,所述第一温度传感器设置于比所述加热器靠下游侧且比所述处理槽靠上游侧的第一位置,从所述处理液的流动方向观察,所述第二温度传感器设置于比所述处理槽靠下游侧且比所述加热器靠上游侧的第二位置,
其中,所述控制器具有:
反馈控制部,其基于所述第一温度传感器的检测温度相对于设定温度的偏差来对所述加热器的输出进行反馈控制,以使所述第一温度传感器的检测温度维持为所述设定温度;以及
校正部,其基于所述第二温度传感器的检测温度相对于基准温度的偏差来对所述设定温度进行校正。
2.根据权利要求1所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述第一温度传感器设置于所述加热器的出口的附近,所述第二温度传感器设置于所述处理槽的出口的附近。
3.根据权利要求1所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述处理槽具有内槽和外槽,所述内槽贮存所述处理液并且通过将基板浸于所贮存的所述处理液中来进行所述基板的处理,所述外槽接受从所述内槽溢出的所述处理液,所述第一温度传感器设置于所述加热器的出口的附近,所述第二温度传感器设置于所述外槽的出口的附近。
4.根据权利要求1所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述校正部只在从所述基准温度减去所述第二温度传感器的检测温度所得到的值取正的值时,对所述设定温度进行校正。
5.根据权利要求4所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述校正部将从所述基准温度减去所述第二温度传感器的检测温度所得到的值与所述设定温度相加。
6.根据权利要求3所述的基板液处理装置,其特征在于,
还具备:
液位计,其检测处于所述外槽内的处理液的液位;
处理液排出部,其用于排出处于所述循环系统内的处理液;以及
液位控制部,其通过基于所述液位计的检测结果控制处理液排出部来控制处于所述外槽内的处理液的液位,
其中,在由所述液位计检测出的液位比预先决定的设定液位高的情况下,所述液位控制部利用所述处理液排出部从所述循环系统排出处理液,并且在所述校正部基于所述第二温度传感器的检测温度相对于所述基准温度的偏差来对所述设定温度进行校正时,以使所述设定液位变高的方式变更所述设定液位。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述控制器具有基于所述至少两个温度传感器的检测值来判定是否具有所述至少两个温度传感器中的一个温度传感器发生了异常的可能性的功能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造