[发明专利]基板液处理装置

说明书

一种更精确地控制处理槽内的处理液的温度的基板液处理装置。基板液处理装置具备：处理槽(34)，其贮存处理液，并且通过将基板浸于所贮存的处理液中来进行基板的处理；循环线(50)，其与处理槽连接；泵(51)，其设置于循环线，用于形成从处理槽出来经过循环线后返回到处理槽的所述处理液的流动；以及加热器(52)，其设置于循环线，加热处理液。设置有设置于包括处理槽和循环线的循环系统内的彼此不同的位置的至少两个温度传感器(81、82、83)。控制器(90、100)基于这至少两个温度传感器的检测温度来控制加热器的发热量。

技术领域

本发明涉及一种通过将半导体晶圆等基板浸于处理槽中所贮存的处理液中来对该基板实施液处理的基板液处理装置。

背景技术

在半导体装置的制造中，为了对半导体晶圆等基板的表面上形成的氮化硅膜进行湿蚀刻而将多张基板浸于处理槽中所贮存的加热后的磷酸水溶液中。在该湿蚀刻处理中，磷酸水溶液被加热到大概160℃，维持在沸腾状态。为了恰当地进行蚀刻，需要磷酸水溶液的精确的温度管理。

例如专利文献1中所记载的那样，基于浸于处理槽内的磷酸水溶液中的一个温度传感器的检测结果，对与处理槽连接的循环线上设置的加热器的发热量进行控制，由此来进行磷酸水溶液的温度管理。

在专利文献1的温度管理中，将一个温度传感器的检测温度作为处理槽内的磷酸水溶液的代表温度来进行控制。因此，根据处理槽内的磷酸水溶液的温度分布的程度，存在无法进行恰当的温度控制的风险。由于近年来的半导体装置的微细化，蚀刻速率的偏差相比于以往更成为问题，因此寻求一种更精确的温度控制。

专利文献1：日本专利第3939630号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于提供一种能够更精确地控制处理槽内的处理液的温度的基板液处理装置。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个实施方式，提供一种基板液处理装置，具备：处理槽，其贮存处理液，并且通过将基板浸于所贮存的所述处理液中来进行所述基板的处理；循环线，其与所述处理槽连接；泵，其设置于所述循环线，用于形成从所述处理槽出来经过所述循环线后返回到所述处理槽的所述处理液的流动；加热器，其设置于所述循环线，加热所述处理液；至少两个温度传感器，其设置于包括所述处理槽和所述循环线的循环系统内的彼此不同的位置；以及控制器，其基于所述至少两个温度传感器的检测温度来控制所述加热器的发热量。

发明的效果

根据上述实施方式，通过基于至少两个温度传感器的检测温度来进行温度控制，能够更精确地控制处理槽内的处理液的温度。

附图说明

图1是表示基板液处理系统的整体结构的概要俯视图。

图2是表示组入到基板液处理系统中的蚀刻装置的结构的系统图。

图3是表示处理液的温度控制系统的第一实施方式的框图。

图4是表示处理液的温度控制系统的第二实施方式的框图。

图5是用于说明温度传感器的配置位置的处理槽的长度方向纵截面图。

图6是表示组入到基板液处理系统中的蚀刻装置的其它结构的系统图。

附图标记说明