[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

重分布层结构，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；

半导体晶粒，布置在所述重分布层结构的第一表面上并电耦合到所述重分布层结构；

模塑料，覆盖所述半导体晶粒和所述重分布层结构的第一表面；以及

支撑件，位于所述半导体晶粒旁边并且与重分布层结构的第一表面接触。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述支撑件与所述半导体晶粒和所述重分布层结构电绝缘。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述支撑件沿着所述半导体晶粒的至少一侧延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述支撑件围绕所述半导体晶粒。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述模塑料位于覆盖所述支撑件的位置。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述模塑料的高度大于所述支撑件的高度。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：

膏状物，位于所述重分布层结构的第一表面上以及，并位于所述半导体晶粒与所述支撑件之间。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其特征在于，所述膏状物围绕所述半导体晶粒，并且所述支撑件围绕所述膏状物。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述重分布层结构包括：

叠加于金属介电层的钝化层，所述第一表面为所述金属介电层的第一表面，所述第二表面为所述钝化层的第二表面，所述金属介电层的第二表面与所述钝化层的第一表面接触；

导电结构，设置在所述金属介电层中并电连接到所述半导体晶粒的晶粒焊盘；

RDL接触焊盘，设置在所述钝化层的开口中并电连接所述导电结构。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述支撑件由半导体材料、金属材料或半导体材料与金属材料的组合形成。

11.一种半导体封装，其特征在于，包括：

重分布层结构，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；

半导体晶粒，布置在所述重分布层结构的第一表面上并电耦合到所述重分布层结构；

模塑料，覆盖所述半导体晶粒和所述重分布层结构的第一表面；以及

支撑件，沿半导体晶粒的边界延伸，其中所述支撑件与所述半导体晶粒和所述重分布层结构电绝缘。

12.根据权利要求11所述的半导体封装，其特征在于，所述支撑件为环形、井字形、条形、L形或凹形。

13.根据权利要求11所述的半导体封装，其特征在于，所述支撑件的刚度大于所述模塑料的刚度。

14.一种半导体封装的制造方法，其特征在于，包括：

将半导体晶粒安装在基板上；

将支撑件安装在基板上，并且支撑件位于所述半导体晶粒旁边；

将模塑料施加到所述基板，其中所述模塑料覆盖所述半导体晶粒和所述支撑件；

在所述模塑料上形成重分布层结构并且耦合到所述半导体晶粒；以及

在所述重分布层结构上形成导电结构。