[发明专利]半导体封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201810150621.6 申请日: 2018-02-13
公开(公告)号: CN108428676A 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 于达人;许文松 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京市万慧达律师事务所 11111 代理人: 白华胜;王蕊
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体封装 第一表面 重分布层 半导体晶粒 第二表面 后支撑件 电耦合 良品率 模塑料 支撑件 基板 翘曲 散焦 移除 制造 覆盖 帮助 生产
【说明书】:

发明公开一种半导体封装及其制造方法,该半导体封装包括:重分布层结构,具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;半导体晶粒,布置在所述重分布层结构的第一表面上并电耦合到所述重分布层结构;模塑料,覆盖所述半导体晶粒和所述重分布层结构的第一表面;以及支撑件,位于所述半导体晶粒旁边并且与重分布层结构的第一表面接触。这种结构可以帮助提高半导体封装的机械强度;在移除基板后支撑件可防止生产中的翘曲和散焦的问题,因此,本发明可提高半导体封装的良品率,并且提高半导体封装的可靠性和质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体封装及其制造方法。

背景技术

为了确保电子产品和通信设备的小型化和多功能性,业界希望半导体封装尺寸小,以支持多引脚连接、高速和高实用性。这种冲击将给半导体封装制造商以压力,促使他们开发扇出型(fan-out)半导体封装。然而,扇出型半导体封装的制造工艺可能会导致封装翘曲、重分布层(RDL,redistribution layer)结构的光刻(photolithography)工艺散焦等问题。上述这些问题可能会影响产品的可靠性和质量。

因此,一种新颖的半导体封装是亟需的。

发明内容

有鉴于此,本发明提供一种半导体封装组件及其制造方法,以减少翘曲和散焦的问题,提高半导体封装的可靠性和质量。

根据本发明的第一方面,公开一种半导体封装,包括:

重分布层结构,具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;

半导体晶粒,布置在所述重分布层结构的第一表面上并电耦合到所述重分布层结构;

模塑料,覆盖所述半导体晶粒和所述重分布层结构的第一表面;以及

支撑件,位于所述半导体晶粒旁边并且与重分布层结构的第一表面接触。

根据本发明的第二个方面,公开一种半导体封装,包括:

重分布层结构,具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;

半导体晶粒,布置在所述重分布层结构的第一表面上并电耦合到所述重分布层结构;

模塑料,覆盖所述半导体晶粒和所述重分布层结构的第一表面;以及

支撑件,沿半导体晶粒的边界延伸,其中所述支撑件与所述半导体晶粒和所述重分布层结构电绝缘。

根据本发明的第三个方面,公开一种半导体封装的制造方法,包括:

将半导体晶粒安装在基板上;

将支撑件安装在基板上,并且支撑件位于所述半导体晶粒旁边;

将模塑料施加到所述基板,其中所述模塑料覆盖所述半导体晶粒和所述支撑件;

在所述模塑料上形成重分布层结构并且耦合到所述半导体晶粒;以及

在所述重分布层结构上形成导电结构。

本发明提供的半导体封装由于包括靠近半导体晶粒设置的支撑件,这种结构可以帮助提高半导体封装的机械强度;在移除基板后支撑件可防止生产中的翘曲和散焦的问题,因此,本发明可提高半导体封装的良品率,并且提高半导体封装的可靠性和质量。

在阅读了随后以不同附图展示的优选实施例的详细说明之后,本发明的这些和其它目标对本领域普通技术人员来说无疑将变得明显。

附图说明

图1-7是根据本发明的一些实施例的半导体封装的制造过程的横截面图;

图8A-8D是根据本发明的一些实施例的沿着半导体封装的半导体晶粒的边界布置的支撑件的形状的平面图。

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