[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

第一导线，所述第一导线沿第一方向在衬底上延伸；

第二导线，所述第二导线沿与所述第一方向相交的第二方向在所述第一导线上方延伸，使得所述第一导线和所述第二导线在所述第一导线和所述第二导线之间的交叉点处竖直地交叠；和

存储单元柱，所述存储单元柱位于所述第一导线和所述第二导线之间的所述交叉点处，所述存储单元柱在相对的两端处分别连接到所述第一导线和所述第二导线，所述存储单元柱包括加热电极层和电阻式存储层，所述加热电极层包括基本上平行于所述第一导线延伸的基部和从所述基部的一端沿远离所述第一导线的方向延伸的鳍部，所述电阻式存储层接触所述加热电极层的所述鳍部，

其中，所述电阻式存储层包括：

楔形存储部，所述楔形存储部具有倾斜侧壁使得所述楔形存储部的宽度随着与所述加热电极层的距离的增加而成比例地连续增加，和

体存储部，所述体存储部连接到所述楔形存储部使得所述体存储部和所述楔形存储部构成单个连续的层，所述体存储部的宽度大于所述楔形存储部的最大宽度。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

所述鳍部包括在所述鳍部中远离所述第一导线的顶部接触表面，所述鳍部的所述顶部接触表面接触所述楔形存储部的底部接触表面，所述楔形存储部的所述底部接触表面在所述楔形存储部中远离所述体存储部。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述楔形存储部的倾斜侧壁与基本上平行于所述衬底的主表面的水平面之间的夹角为锐角。

4.根据权利要求1所述的存储器件，进一步包括：

在所述加热电极层上的绝缘间隔物，所述绝缘间隔物与所述加热电极层、所述楔形存储部的倾斜侧壁以及所述体存储部接触，所述绝缘间隔物具有U形截面。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

所述楔形存储部包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁面向彼此相反的方向，

所述第一侧壁与基本上平行于所述衬底的主表面的水平面之间的第一夹角为锐角，并且

所述第二侧壁与所述水平面之间的第二夹角也是锐角。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

所述楔形存储部包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁面向彼此相反的方向，并且

所述第一侧壁与基本上平行于所述衬底的主表面的水平面之间的第一夹角不同于所述第二侧壁与所述水平面之间的第二夹角。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述体存储部的宽度随着与所述楔形存储部的距离的增加而成比例地连续增加。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述基部与所述鳍部之间的夹角为直角或钝角。

9.根据权利要求8所述的存储器件，进一步包括：

在所述第一导线上的绝缘壁，所述绝缘壁接触所述存储单元柱，

其中，所述鳍部、所述楔形存储部和所述体存储部中的每一个都接触所述绝缘壁的侧壁并且在所述第一导线和所述第二导线之间彼此竖直地交叠。

10.根据权利要求8所述的存储器件，进一步包括：

在所述第一导线上的绝缘壁，所述绝缘壁接触所述存储单元柱，

其中，

所述鳍部和所述楔形存储部中的每一个都与所述绝缘壁间隔开，

所述体存储部接触所述绝缘壁的侧壁，并且

所述鳍部、所述楔形存储部和所述体存储部在所述第一导线和所述第二导线之间彼此竖直地交叠。

11.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

所述存储单元柱进一步包括与所述基部、所述鳍部、所述楔形存储部以及所述体存储部中的每一个都接触的绝缘间隔物，并且

其中，所述绝缘间隔物具有接触所述基部的底表面和接触所述体存储部的顶表面。