[发明专利]存储器件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种存储器件及其制造方法。一种存储器件包括：第一导线；第二导线，所述第二导线沿与所述第一导线相交的方向延伸，使得所述第一导线和所述第二导线在所述第一导线和所述第二导线之间的交叉点处竖直地交叠；以及，存储单元柱，所述存储单元柱位于所述交叉点处。所述存储单元柱可以包括加热电极层和接触所述加热电极层的电阻式存储层。所述电阻式存储层可以包括：楔形存储部和体存储部，所述楔形存储部的宽度随着与所述加热电极层的距离的增加而成比例地连续增加，所述体存储部连接到所述楔形存储部，使得所述体存储部和所述楔形存储部构成单个连续的层，所述体存储部的宽度大于所述楔形存储部的最大宽度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0081387的优先权，通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本发明构思涉及存储器件及其制造方法，并且更具体地，涉及具有交叉点阵列结构的存储器件及其制造方法。

背景技术

随着生产更轻、更薄和更小的电子设备的连续性趋势，对于半导体器件的集成度的提高有越来越高的需求。提出了将三维(3D)交叉点堆叠结构存储器件(其中，存储单元布置在两条彼此交叉的电极之间的交叉点处)作为可能实现这种提高的集成度的下一代非易失性存储器件。随着对交叉点堆叠结构存储器件的集成度提高和尺寸按比例缩小(“小型化”)的持续需求，需要减小构成存储器件的组件的尺寸，因此，需要开发一种构造为使高集成度存储器件的功耗最小化并且提高该高集成度存储器件的可靠性的结构。

发明内容

本发明构思包括一种交叉点堆叠结构存储器件，该存储器件的结构被构造为使功耗最小化，并且即使由于高集成度的需求而减小了构成该存储器件的组件的尺寸也能够提高可靠性。

本发明构思还提供了一种制造交叉点堆叠结构存储器件的方法，该存储器件的结构被构造为使功耗最小化并且提高该存储器件的可靠性，即使由于高集成度的需求而减小了构成该存储器件的组件的尺寸，该方法也允许使用简化的工艺来实现该存储器件。

根据一些示例性实施例，一种存储器件可以包括：第一导线，所述第一导线沿第一方向在衬底上延伸；第二导线，所述第二导线沿与所述第一方向相交的第二方向在所述第一导线上方延伸，使得所述第一导线和所述第二导线在所述第一导线和所述第二导线之间的交叉点处竖直地交叠；以及，存储单元柱，所述存储单元柱位于所述第一导线和所述第二导线之间的交叉点处。所述存储单元柱可以在相对的两端处分别连接到所述第一导线和所述第二导线。所述存储单元柱可以包括加热电极层和电阻式存储层。所述电阻式存储层可以接触所述加热电极层。所述电阻式存储层可以包括：楔形存储部，所述楔形存储部具有倾斜侧壁使得所述楔形存储部的宽度随着与所述加热电极层的距离的增加而成比例地连续增加；以及，体存储部，所述体存储部连接到所述楔形存储部使得所述体存储部和所述楔形存储部构成单个连续的层，所述体存储部的宽度大于所述楔形存储部的最大宽度。