[发明专利]立式晶舟有效
申请号: | 201810154109.9 | 申请日: | 2018-02-22 |
公开(公告)号: | CN108461432B | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 荻津健 | 申请(专利权)人: | 阔斯泰公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京奉思知识产权代理有限公司 11464 | 代理人: | 刘欣欣;张润华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 立式 | ||
1.一种立式晶舟,其特征在于,
所述立式晶舟具有:
顶板;
底板;
3根支柱,所述支柱的一端被固定在所述顶板,另一端被固定在底板;以及
晶圆支承部,
所述支柱由被配置在晶圆插入始端侧的左右两侧的第1和第2支柱以及被配置在晶圆插入终端侧的中央的第3支柱构成,
所述晶圆支承部包括从所述第1、第2和第3支柱的侧面分别向水平方向突出的第1、第2和第3晶圆支承部,
所述第1、第2和第3晶圆支承部具有相同的厚度,并且包括所述第1支柱的所述第1晶圆支承部的水平方向的截面形状或者包括所述第2支柱的所述第2晶圆支承部的水平方向的截面形状与包括所述第3支柱的所述第3晶圆支承部的水平方向的截面形状不同,
在将所述第1晶圆支承部与第1支柱的水平方向的合计截面积以及所述第2晶圆支承部与第2支柱的水平方向的合计截面积表示为Sa,将所述第3晶圆支承部与第3支柱的水平方向的合计截面积表示为Sb时,由以下式定义的比率的绝对值为1%以下,
比率(%)=100×(Sa-Sb)/(Sa+Sb) 。
2.根据权利要求1所述的立式晶舟,其特征在于,
所述第1晶圆支承部和第1支柱的水平截面形成为“へ”字状,
所述第2晶圆支承部和第2支柱的水平截面形成为“へ”字状,
所述第3晶圆支承部和第3支柱的水平截面以从第3晶圆支承部的前端朝向第3支柱侧变宽的方式形成为锥状。
3.根据权利要求1或2所述的立式晶舟,其特征在于,
所述第1、第2和第3晶圆支承部的前端部配置在距离所支承的晶圆的中心为晶圆的半径的65%以上75%以下的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造