[发明专利]光接收器及光电元件的制备方法和光接收器的制备方法在审
| 申请号： | 201810154492.8 | 申请日： | 2018-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN110120429A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李国豪;许聪基;赖铭智 | 申请（专利权）人： | 华星光通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光接收器 收光 制备 背面 金属柱 晶片 光电元件 金属柱连接 晶片元件 | ||
1.一种光接收器，其特征在于包含：
一载体；
一背面收光型晶片，其中间部位突出周围部位且比周围部位具有一突出厚度，并于周围部位设有多个金属柱，藉由该多个金属柱连接该载体；
其中，该多个金属柱的高度大于该背面收光型晶片元件的该中间部位的突出厚度。
2.如权利要求1所述的光接收器，其特征在于：该多个金属柱使用化镀设置于该背面收光型晶片上，其中，至少二个以上的该金属柱连接至该背面收光型晶片上的电极及载体上的电极。
3.如权利要求2所述的光接收器，其特征在于：该金属柱的材质为金。
4.如权利要求2或3所述的光接收器，其特征在于：该背面收光型晶片的中间部位的突出厚度为5～10μm，且该金属柱的高度为7～15μm。
5.一种光电元件的制备方法，其特征在于包括：
提供一背面收光型晶片，该背面收光型晶片的中间部位突出周围部位且比周围部位具有一突出厚度；
于该背面收光型晶片的周围部位以化镀设有多个金属柱，其中，该金属柱的高度大于该背面收光型晶片的中间部位的突出厚度。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：至少二个以上的该金属柱连接至该背面收光型晶片上的电极。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：该金属柱的材质为金。
8.如权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于：该背面收光型晶片的中间部位的突出厚度为5～10μm，且该金属柱的高度7～15μm。
9.一种光接收器的制备方法，其特征在于包括：
提供一载体；
提供一如权利要求5至7任一项的制备方法所制备的光电元件，藉由该背面收光型晶片的多个金属柱连接该载体。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于：连接至该背面收光型晶片上电极的至少二个以上的该金属柱连接至该载体的电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
