[发明专利]测试半导体封装件的方法

说明书

测试半导体封装件的方法，其在将所述半导体封装件容置至测试托盘的插入槽中并通过使用每一个均包括加热器的推动器单元与测试器的插槽相连接之后，对所述半导体封装件执行电测试，所述方法包括在测试所述半导体封装件的同时从所述测试器接收所述半导体封装件的温度信息，根据所述接收的温度信息计算所述半导体封装件的总体平均温度并基于在所述半导体封装件的所述总体平均温度和个别温度之间的差值来个别地控制所述推动器单元的加热器的操作。

背景技术

本发明涉及一种测试半导体封装件的方法。更具体地说，本发明涉及一种通过使用测试处理器和测试器来测试接收至测试托盘的插入槽中的半导体封装件的方法。

通常，半导体装置可以通过重复地执行一系列制造过程而形成在用作半导体基板的硅晶片上，且如上所述而形成的半导体装置可以通过切割过程、结合过程和封装过程被形成至半导体封装件中。

半导体封装件可以通过电测试过程被确定为有缺陷的产品或无缺陷的产品。电测试过程可以通过用于处理半导体封装件的测试处理器和用于供给测试信号并分析源于半导体封装件的输出信号的测试器来执行。

在电测试过程中，半导体封装件可以被分别接收至测试托盘的插入槽中且随后通过推动器单元与测试器的测试插槽相连接。测试器可以包括接口板，且测试插槽可以被设置在接口板上。测试处理器可以包括其中执行电测试过程的测试室且推动器单元可以被设置在测试室中。

此外，测试处理器可以包括用于测量在测试室中的温度的传感器和用于调整温度的温度调整单元。例如，用于加热测试室的内部的加热器和用于注射冷却气体以冷却测试室的内部的冷却单元可以被设置在测试室中，且可以基于通过传感器测量的值来控制在测试室中的温度。

然而，由于在测试半导体封装件的同时可能在半导体封装件中生成热量，且半导体封装件与加热器和冷却单元的距离彼此不同，难于将半导体封装件均匀地保持在预定的测试温度下。

发明内容

本发明提供了一种能够在电测试过程中均匀地控制半导体封装件的温度的测试半导体封装件的方法。

根据本发明的一个方面，一种在将半导体封装件容置至测试托盘的插入槽中并通过使用每一个均包括加热器的推动器单元与测试器的插槽相连接之后对半导体封装件执行电测试的测试半导体封装件的方法，可以包括在测试半导体封装件的同时从测试器接收半导体封装件的温度信息，根据接收的温度信息计算半导体封装件的总体平均温度并基于在半导体封装件的总体平均温度和个别温度之间的差值来个别地控制推动器单元的加热器的操作。

根据本发明的一些示例性实施例，在个别地控制加热器的操作中可以个别地调整加热器的设定温度以补偿在半导体封装件的总体平均温度和个别温度之间的差值。

根据本发明的一些示例性实施例，热电元件可以被用作加热器，且在个别地控制加热器的操作中可以个别地增加或减小被施加于热电元件的驱动功率以补偿在半导体封装件的总体平均温度和个别温度之间的差值。

根据本发明的一些示例性实施例，该方法还可以包括基于在半导体封装件的总体平均温度和预定测试参考温度之间的差值总体控制加热器的操作。

根据本发明的一些示例性实施例，在总体控制加热器的操作中可以将加热器的设定温度作为整体来进行调整以补偿在总体平均温度和测试参考温度之间的差值。

根据本发明的一些示例性实施例，在总体控制加热器的操作中可以将被施加至热电元件的驱动功率作为整体来增加或减少以补偿在总体平均温度和测试参考温度之间的差值。

根据本发明的一些示例性实施例，偏离预定温度范围的半导体封装件的温度可以被排除在计算半导体封装件的总体平均温度之外。