[发明专利]一种晶圆缺陷的查找系统和晶圆缺陷的查找方法在审
申请号: | 201810157685.9 | 申请日: | 2018-02-24 |
公开(公告)号: | CN108321096A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 冯亚丽 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 电子扫描显微镜 缺陷信息 检测 查找 机台 晶圆缺陷 种晶 拍照 查找系统 缺陷位置 上下表面 生产效率 信息传输 重大意义 良率 侧面 传递 帮助 | ||
1.一种晶圆缺陷的查找系统,其特征在于,所述晶圆缺陷的查找系统包括:检测机台及电子扫描显微镜,所述检测机台检测晶圆的缺陷信息,并将所述缺陷信息传递给所述电子扫描显微镜,所述电子扫描显微镜根据所述缺陷信息对所述晶圆进行拍照。
2.如权利要求1所述的晶圆缺陷的查找系统,其特征在于,所述电子扫描显微镜包括服务器和镜头。
3.如权利要求2所述的晶圆缺陷的查找系统,其特征在于,所述服务器接收所述晶圆缺陷的信息,并对所述镜头发出指令。
4.如权利要求2所述的晶圆缺陷的查找系统,其特征在于,所述镜头的拍摄角度范围为0~135度。
5.如权利要求1~4中任一项所述的晶圆缺陷的查找系统,其特征在于,所述电子扫描显微镜具有存储模块。
6.一种晶圆缺陷的查找方法,其特征在于,采用如权利要求1~5中任意一项所述晶圆缺陷的查找系统,所述晶圆缺陷的查找方法包括步骤如下:
S1:检测机台检测晶圆的缺陷信息,并将所述缺陷信息传递给所述电子扫描显微镜;
S2:所述电子扫描显微镜根据所述缺陷信息对所述晶圆进行拍照。
7.如权利要求6所述的晶圆缺陷的查找方法,其特征在于,所述晶圆缺陷包括晶圆上下表面缺陷以及晶圆侧面缺陷。
8.如权利要求6所述的晶圆缺陷的查找方法,其特征在于,所述晶圆的侧面圆弧形曲面的圆心角为180度。
9.如权利要求6所述的晶圆缺陷的查找方法,其特征在于,所述晶圆缺陷的信息包括:晶圆编号信息及缺陷位置信息。
10.如权利要求9所述的晶圆缺陷的查找方法,其特征在于,所述缺陷位置信息包括位置角、空间角或位置坐标。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造