[发明专利]一种低反射率单晶硅片的制绒方法

权利要求书

1.一种低反射率单晶硅片的制绒方法，其特征在于包括以下步骤：

1）制绒添加剂的配制：依次将壳聚糖-聚2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸钠共聚物、甲基甘氨二乙酸钠、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、苯氧乙醇溶解到去离子水中，混合均匀；

上述各组分的质量百分含量为：壳聚糖-聚2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸钠共聚物0.5-5%，甲基甘氨二乙酸钠0.1-1%，3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇3-10%，苯氧乙醇0.05-0.5%，去离子水余量；

所述壳聚糖-聚2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸钠共聚物的制备方法包括以下步骤：将壳聚糖溶解到去离子水中，壳聚糖在去离子水中的质量分数为1-3%；在惰性气体保护下，依次加入硝酸铈铵和2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸钠；升温反应，再将反应体系置于透析袋中，于去离子水中透析后，冻干收集得到共聚物；所述壳聚糖的分子量为10000-50000，脱乙酰度为52-56%；所述硝酸铈铵的质量为壳聚糖质量的40-120%，所述2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸钠的质量为壳聚糖质量的100-500%；

2）制绒液的配制：将步骤1）制得的制绒添加剂加到碱溶液中，混合均匀；

3）将单晶硅片置入步骤2）制得的制绒液中进行制绒。

2.如权利要求1所述的一种低反射率单晶硅片的制绒方法，其特征在于：所述的制绒添加剂与碱溶液的质量比为1-3:100，所述的碱溶液为质量分数为1-2%的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液。

3.如权利要求1或2所述的一种低反射率单晶硅片的制绒方法，其特征在于：制绒温度为75-85℃，制绒时间为360-600 s。

4.如权利要求1所述的一种低反射率单晶硅片的制绒方法，其特征在于：步骤1）中，配制制绒添加剂时，最后还添加有以下质量百分含量的组分：N-辛基-吡咯烷酮0.1-1%，木质素磺酸钠0.5-5%。

5.如权利要求1所述的一种低反射率单晶硅片的制绒方法，其特征在于：所述透析袋的截留分子量为8000-20000 Da，透析时间为2-5天。

6.如权利要求1所述的一种低反射率单晶硅片的制绒方法，其特征在于：所述惰性气体为氮气、氦气或氩气的一种；反应温度为50-80℃，反应时间为4-24h。