[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810158631.4 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108511410A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 萱岛祐治;关口智久 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层间绝缘膜 焊盘 开口部 半导体装置 布线 连接区域 层叠膜 再布线 半导体基板 俯视观察 电连接 覆盖布 暴露 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体基板；
第一布线，在所述半导体基板上隔着第一层间绝缘膜形成；
第二层间绝缘膜，在所述第一层间绝缘膜上以覆盖所述第一布线的方式形成；
第一焊盘，形成在所述第二层间绝缘膜上；
第一绝缘膜，形成在所述第二层间绝缘膜上，具有暴露所述第一焊盘的第一开口部；
第二布线，形成在包括从所述第一开口部暴露的所述第一焊盘之上在内的所述第一绝缘膜上，与所述第一焊盘电连接；以及
第二焊盘，形成在所述第一绝缘膜上，与所述第二布线成一体地连接，
其中，在俯视观察时，所述第一布线的至少一部分与所述第一焊盘重叠，
所述第一布线的端部位于所述第一焊盘与所述第二布线的连接区域的下方，
在所述第一布线中的第一区域形成有多个第二开口部，
在俯视观察时，所述第一区域的至少一部分与所述连接区域重叠。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在俯视观察时，所述第一布线与所述连接区域的重叠区域包含于所述第一区域。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个第二开口部在所述第一布线的所述第一区域形成为狭缝状。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个第二开口部在所述第一布线的所述第一区域形成为网格状。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
假定在所述第一布线中未形成所述多个第二开口部的情况下的所述第一布线的第一宽度是0.6μm以上，
在所述连接区域的下方，以在所述第一布线中不产生宽度为0.6μm以上的部位的方式，在所述第一布线的所述第一区域形成有所述多个第二开口部。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一绝缘膜由第二绝缘膜与所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜的层叠膜构成，
所述第三绝缘膜由树脂膜构成，
所述第一开口部由所述第二绝缘膜的第三开口部和所述第三绝缘膜的第四开口部形成，
在俯视观察时，所述第三开口部包含在所述第四开口部的内部，
对从所述第二绝缘膜的所述第三开口部暴露的所述第一焊盘连接有所述第二布线。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
在俯视观察时，所述第一布线与所述第三开口部的重叠区域包含于所述第一区域。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
在俯视观察时，所述第一布线与所述第四开口部的重叠区域包含于所述第一区域。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
假定在所述第一布线中未形成所述多个第二开口部的情况下的所述第一布线的第一宽度是0.6μm以上，
在所述第四开口部的下方，以在所述第一布线中不产生宽度为0.6μm以上的部位的方式，在所述第一布线的所述第一区域形成有所述多个第二开口部。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
在俯视观察时，在与所述第四开口部相距5μm以上的区域中未形成所述多个第二开口部。
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个第二开口部在所述第一布线的所述第一区域形成为狭缝状。
12.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个第二开口部在所述第一布线的所述第一区域形成为网格状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810158631.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体芯片的晶圆级封装方法及其封装结构
- 下一篇：半导体装置
