[发明专利]用于铜CMP在线测量的电涡流传感器探头在审
申请号: | 201810159435.9 | 申请日: | 2018-02-26 |
公开(公告)号: | CN108387168A | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 李弘恺;刘卫国;李静;赵德文;王同庆;路新春;雒建斌 | 申请(专利权)人: | 清华大学;天津华海清科机电科技有限公司 |
主分类号: | G01B7/06 | 分类号: | G01B7/06 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线圈固定件 铜线圈 电涡流传感器 在线测量 探头 探头底座 安装槽 封装件 封装 安置 上表面 | ||
本发明公开了一种用于铜CMP在线测量的电涡流传感器探头,所述用于铜CMP在线测量的电涡流传感器探头包括:铜线圈;封装件,所述铜线圈通过所述封装件封装,所述封装件包括:探头底座,所述探头底座上形成有安装槽;线圈固定件,所述线圈固定件安置在所述安装槽处,所述线圈固定件上表面有凹槽,所述铜线圈安置在所述凹槽内。根据本发明的用于铜CMP在线测量的电涡流传感器探头,通过凹槽可以使所述铜线圈安置在线圈固定件中,并且通过安装槽可以使线圈固定件与探头底座相连,结构简单,且易于实现所述铜线圈的封装。
技术领域
本发明涉及精密加工技术领域,特别是涉及一种用于铜CMP在线测量的电涡流传感器探头。
背景技术
相关技术中,化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)技术是当今最有效的全局平坦化方法。它利用化学腐蚀和机械磨削的协同作用,可以有效兼顾晶圆局部和全局平坦度,并已在超大规模集成电路制造中得到了广泛应用。
在铜CMP过程中,需要精确控制材料的去除量。但是,CMP苛刻的工艺环境使得在线测量的实现非常困难。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种用于铜CMP在线测量的电涡流传感器探头,所述用于铜CMP在线测量的电涡流传感器探头的结构简单且易于封装,便于实现对晶圆表面剩余铜层厚度的测量。
根据本发明实施例的用于铜CMP在线测量的电涡流传感器探头,包括:铜线圈;封装件,所述铜线圈通过所述封装件封装,所述封装件包括:探头底座,所述探头底座上形成有安装槽;线圈固定件,所述线圈固定件安置在所述安装槽处,所述线圈固定件上表面有凹槽,所述铜线圈通过所述凹槽安置在所述线圈固定件中。
根据本发明实施例的用于铜CMP在线测量的电涡流传感器探头,通过凹槽可以使所述铜线圈安置在线圈固定件中,并且通过安装槽可以使线圈固定件与探头底座相连,结构简单,且易于实现所述铜线圈的封装。
另外,根据本发明上述实施例的用于铜CMP在线测量的电涡流传感器探头还具有如下附加的技术特征:
根据本发明的一些实施例,所述线圈固定件与所述探头底座可拆卸地相连,所述线圈固定件包括:本体部,所述本体部的中部设有所述凹槽;配合部,所述配合部设在所述本体部的下表面并朝向所述探头底座延伸;其中,所述探头底座上形成有与所述配合部相匹配的定位孔,所述线圈固定件通过所述定位孔定位在所述探头底座上。
进一步地,所述本体部上设有第一安装孔,所述安装槽的内底面形成有与所述第一安装孔对应的第一螺丝孔,螺钉适于穿过所述第一安装孔和所述第一螺丝孔以使所述线圈固定件与所述探头底座螺钉连接。
具体地,所述凹槽由所述本体部的上表面向下凹陷形成,所述凹槽被构造成圆形凹槽,且所述凹槽的内底面形成有沿厚度方向贯穿所述本体部的第一通孔,以引出所述铜线圈的引线。
进一步地,所述配合部被构造成下端敞开的圆形桶状,且所述配合部的外径等于所述凹槽的直径,所述配合部的壁厚为2mm,所述配合部的高度为3mm;其中,所述铜线圈的引线与外接引线焊接后,焊接点置于所述配合部的内侧,所述配合部内灌胶,并待胶凝固,密封焊接点。
可选地,所述凹槽的直径不小于所述铜线圈的外径,所述凹槽沿上下方向的深度不小于所述铜线圈的高度。
根据本发明的一些实施例,所述探头底座大致呈圆柱形,所述安装槽被构造成矩形槽,所述安装槽的中心为所述定位孔的圆心,所述安装槽的深度等于所述本体部的高度,所述定位孔的深度大于所述配合部的高度,且所述定位孔的内底面设有第二通孔用于外接引线伸出。
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