[发明专利]一种硅片承载机构在审
申请号: | 201810159865.0 | 申请日: | 2018-02-26 |
公开(公告)号: | CN108183082A | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 葛林五;陈景韶;葛林新;李杰;丁高生 | 申请(专利权)人: | 上海提牛机电设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 上海智力专利商标事务所(普通合伙) 31105 | 代理人: | 周涛 |
地址: | 201405 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片卡槽 硅片承载 承载机构 硅片清洗 距离相等 硅片 底座 硅片承载花篮 对称设置 上表面 圆心角 相等 承载 | ||
1.一种硅片承载机构,其特征在于,该承载机构包括底座(1)、第一硅片承载架(2)和第二硅片承载架(3),所述第一硅片承载架(2)和第二硅片承载架(3)对称设置在底座(1)的上表面上,所述第一硅片承载架(2)的顶部设有多道第一硅片卡槽(4),相邻的两个第一硅片卡槽(4)之间的距离相等,所述第二硅片承载架(3)的顶部设有多道第二硅片卡槽(5),相邻的两个第二硅片卡槽(5)之间的距离相等,所述第一硅片卡槽(4)和第二硅片卡槽(5)一一对应,所述第一硅片卡槽(4)的槽底和第二硅片卡槽(5)的槽底均处于同一弧面上,所述第一硅片卡槽(4)的槽底和第二硅片卡槽(5)的槽底所处弧面的半径与该承载机构所承载的硅片(10)的半径相等,所述第一硅片卡槽(4)和第二硅片卡槽(5)之间的圆心角α小于180°。
2.根据权利要求1所述的一种硅片承载机构,其特征在于,所述底座(1)的上表面上设有第一定位槽和第二定位槽,所述第一定位槽和第二定位槽相平行,所述第一硅片承载架(2)的下表面设有与第一定位槽相匹配的第一定位凸条,所述第一定位凸条伸入至第一定位槽内,所述第二硅片承载架(3)的下表面设有与第二定位槽相匹配的第二定位凸条,所述第二定位凸条伸入至第二定位槽内。
3.根据权利要求1所述的一种硅片承载机构,其特征在于,所述第一硅片卡槽(4)和第二硅片卡槽(5)均有25或26个。
4.根据权利要求1所述的一种硅片承载机构,其特征在于,该承载机构还包括第三硅片承载架(6),所述第三硅片承载架(6)设在底座(1)的上表面上,所述第三硅片承载架(6)设在第一硅片承载架(2)和第二硅片承载架(3)之间,所述第三硅片承载架(6)与第一硅片承载架(2)相平行,所述第三硅片承载架(6)的顶部设有多道第三硅片卡槽(7),所述第三硅片卡槽(7)与第一硅片卡槽(4)一一对应。
5.根据权利要求4所述的一种硅片承载机构,其特征在于,所述第三硅片卡槽(7)的槽底均处于同一平面上,且所述第三硅片卡槽(7)的槽底所在的平面与第一硅片卡槽(4)的槽底所在的弧面相切。
6.根据权利要求4所述的一种硅片承载机构,其特征在于,所述第三硅片卡槽(7)的槽底均处于同一弧面上,且所述第三硅片卡槽(7)的槽底所在的弧面与第一硅片卡槽(4)的槽底所在的弧面重合。
7.根据权利要求4所述的一种硅片承载机构,其特征在于,所述底座(1)的上表面上设有第三定位槽,所述第三定位槽与第一定位槽相平行,所述第三硅片承载架(6)的下端伸入至第三定位槽内。
8.根据权利要求4所述的一种硅片承载机构,其特征在于,所述第一硅片承载架(2)、第二硅片承载架(3)和第三硅片承载架(6)均与底座(1)通过螺栓连接。
9.根据权利要求4所述的一种硅片承载机构,其特征在于,第一硅片承载架(2)、第二硅片承载架(3)、第三硅片承载架(6)和底座(1)均为U-PVC材质或PEEK材质。
10.根据权利要求1所述的一种硅片承载机构,其特征在于,所述底座(1)上设有多个安装孔(8)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海提牛机电设备有限公司,未经上海提牛机电设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810159865.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理装置以及处理基板的制造方法
- 下一篇:面板的定位装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造