[发明专利]波导元件、发光装置以及波导元件的制造方法

权利要求书

1.一种波导元件，具备：

第1晶体区域，在第1方向上延伸，包括第1氮化物半导体；以及

第2晶体区域，在所述第1方向上延伸，包括第2氮化物半导体，并且与所述第1晶体区域连续，

从所述第1晶体区域向所述第2晶体区域的第2方向与所述第1方向交叉，

所述第1晶体区域的＜0001＞方向是从所述第1晶体区域向所述第2晶体区域，

所述第2晶体区域的＜0001＞方向是从所述第2晶体区域向所述第1晶体区域。

2.根据权利要求1所述的波导元件，其中，

所述第1晶体区域包括第1部分和第2部分，

所述第2部分位于所述第1部分与所述第2晶体区域之间，

所述第2部分的位错密度低于所述第1部分的位错密度，

所述第2晶体区域包括第3部分和第4部分，

所述第4部分位于所述第3部分与所述第1晶体区域之间，

所述第4部分的位错密度低于所述第3部分的位错密度。

3.根据权利要求1所述的波导元件，其中，

所述第1晶体区域中包括的第1元素的第1浓度超过所述第2晶体区域中包括的所述第1元素的第2浓度的0.01倍且低于100倍，

所述第1元素是从包括氧、碳以及硅的群选择出的1种元素。

4.根据权利要求1所述的波导元件，其中，

还具备包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域以及第4部分区域的第1层，

在所述第2方向上，所述第1晶体区域的至少一部分位于所述第1部分区域与所述第2部分区域之间，

在所述第2方向上，所述第2晶体区域的至少一部分位于所述第1晶体区域的所述至少一部分与所述第2部分区域之间，

从所述第3部分区域向所述第1晶体区域的方向沿着与包括所述第1方向以及所述第2方向的平面交叉的第3方向，

从所述第4部分区域向所述第2晶体区域的方向沿着所述第3方向。

5.根据权利要求4所述的波导元件，其中，

还具备包括第5部分区域、第6部分区域、第7部分区域以及第8部分区域的第2层，

所述第2层的折射率低于所述第1晶体区域的折射率，且低于所述第2晶体区域的折射率，

在所述第2方向上，所述第1晶体区域的另一部分位于所述第5部分区域与所述第6部分区域之间，

在所述第2方向上，所述第2晶体区域的另一部分位于所述第1晶体区域的所述另一部分与所述第6部分区域之间，

从所述第1晶体区域向所述第7部分区域的方向沿着所述第3方向，

从所述第2晶体区域向所述第8部分区域的方向沿着所述第3方向。

6.根据权利要求1所述的波导元件，其中，还具备：

第3晶体区域，在所述第1方向上延伸，包括第3氮化物半导体；以及

第4晶体区域，在所述第1方向上延伸，包括第4氮化物半导体，并且与所述第3晶体区域连续，

在所述第2方向上，所述第2晶体区域位于所述第1晶体区域与所述第4晶体区域之间，

在所述第2方向上，所述第3晶体区域位于所述第2晶体区域与所述第4晶体区域之间，

所述第3晶体区域的＜0001＞方向是从所述第3晶体区域向所述第4晶体区域，

所述第4晶体区域的＜0001＞方向是从所述第4晶体区域向所述第3晶体区域。

7.一种发光装置，具备：

权利要求1所述的波导元件；以及

光源部，射出第1波长的第1光，

所述第1晶体区域包括第1端部和第2端部，从所述第1端部向所述第2端部的方向沿着所述第1方向，

所述第2晶体区域包括第3端部和第4端部，从所述第3端部向所述第4端部的方向沿着所述第1方向，

所述第1光入射到所述第1端部以及所述第3端部，

从所述第2端部以及所述第4端部射出的第2光的第2波长与所述第1波长不同。